[实用新型]基于GaN材料的RGBY四色LED

说明书

本实用新型涉及一种基于GaN材料的RGBY四色LED。该LED包括：蓝色发光材料、红色发光材料、绿色发光材料及黄色发光材料、隔离层、键合层、上电极及下电极。本实用新型实施例，通过将RGBY四色发光材料集成到单一芯片上，制备工艺简单，制作成本较低，且制备出的四原色LED芯片发光效率高、集成度高体积小。

技术领域

本实用新型属于半导体工艺，具体涉及一种基于GaN材料的RGBY四色LED。

背景技术

2015年中国家电博览会中，夏普推出的RGBY四色技术一直是其独有的优势，其在之前R、G、B三原色的技术上加入了Y(黄色)像素，大大增加了液晶电视的色彩表现能力。这次夏普将RGBY技术融入到自己的4K电视产品中，不但增加了液晶电视的色彩显示范围，而且还能够让画面更加清晰。

对于LED显示器来说，其同样需要通过增加Y像素来扩展其色域空间，但现有RGBYLED通过采用将红色、绿色、蓝色、黄色芯片封装在一个颗像素中以实现宽色域的色彩显示。但是，由于采用封装工艺会带来体积较大，集成度差，可靠性差等一系列问题。

实用新型内容

为了解决现有技术中存在的上述问题，本实用新型提供了一种RGBY四色LED。本实用新型要解决的技术问题通过以下技术方案实现：

本实用新型实施例提供了一种基于GaN材料的RGBY四色LED，包括：蓝色发光材料、红色发光材料、绿色发光材料及黄色发光材料、隔离层、键合层、上电极及下电极；其中，

所述蓝色发光材料、所述红色发光材料、所述绿色发光材料及所述黄色发光材料均通过所述隔离层彼此绝缘；

所述键合层设置于所述蓝色发光材料、所述红色发光材料、所述绿色发光材料及所述黄色发光材料下方，且所述下电极设置于所述键合层下方，所述上电极位于所述蓝色发光材料、所述红色发光材料、所述绿色发光材料及所述黄色发光材料上方,所述蓝色发光材料包括第一InGaN/GaN多量子阱层，所述第一InGaN/GaN多量子阱层包括相互层叠设置的第一GaN量子阱层和第一InGaN量子阱层；其中，层叠周期为8～30。

本实用新型的基于GaN材料的RGBY四色LED成本低，发光效率高、集成度高体积小。另外，本实用新型的垂直结构由红、绿两种颜色形成黄色发光材料，在扩展了LED的色域范围的同时进一步减低成本。

附图说明

图1为本实用新型实施例提供的一种RGBY四色LED的结构示意图；

图2为本实用新型实施例提供的一种RGBY四色LED的蓝色发光材料的结构示意图；

图3为本实用新型实施例提供的一种RGBY四色LED的第一InGaN/GaN多量子阱结构示意图；

图4为本实用新型实施例提供的一种RGBY四色LED的红光凹槽的结构示意图；

图5为本实用新型实施例提供的一种RGBY四色LED的红色发光材料的结构示意图；

图6为本实用新型实施例提供的一种RGBY四色LED的GalnP/A1GaInP多量子阱结构示意图；

图7为本实用新型实施例提供的一种RGBY四色LED的绿光凹槽的结构示意图；

图8为本实用新型实施例提供的一种RGBY四色LED的绿色发光材料的结构示意图；

图9为本发明实施例提供的一种第二InGaN/GaN多量子阱的结构示意图；

图10为本发明实施例提供的一种垂直型双色LED芯片的键合层的结构示意图；

图11为本发明实施例提供的一种RGBY四色LED的俯视截面结构示意图；