[实用新型]基于GaN的四原色LED芯片有效
| 申请号： | 201721790479.9 | 申请日： | 2017-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN208422946U | 公开（公告）日： | 2019-01-22 |
| 发明（设计）人： | 尹晓雪 | 申请（专利权）人： | 西安智盛锐芯半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/08 | 分类号： | H01L33/08;H01L33/06;H01L33/32;H01L33/00 |
| 代理公司： | 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230 | 代理人： | 黄晶晶 |
| 地址： | 710075 陕西省西安市*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 蓝光 原色LED 芯片 本实用新型 缓冲层 红光 绿光 单一芯片 发光材料 发光效率 依次层叠 制备工艺 集成度 体积小 稳定层 阻挡层 衬底 四色 源层 制备 制作 | ||
【权利要求书】：
1.一种基于GaN的四原色LED芯片，其特征在于，包括：依次层叠设置于衬底(11)之上的蓝光缓冲层(101)、蓝光稳定层(102)、蓝光n型层(103)、蓝光有源层(104)、蓝光阻挡层(105)、蓝光p型层(106)，设置于所述蓝光缓冲层(101)之上的第一红光结构(21)、第一绿光结构(31)、第二红光结构(24)、第二绿光结构(32)；
第二氧化隔离层(12)和第三氧化隔离层(22)，其中，所述第二氧化隔离层(12)设置于所述第一红光结构(21)和所述第二红光结构(24)沿出光方向的四周，所述第三氧化隔离层(22)设置于所述第一绿光结构(31)和第二绿光结构(32)沿出光方向的四周；所述衬底(11)为SiC材料或者蓝宝石材料。
2.根据权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述第一红光结构(21)、所述第一绿光结构(31)、所述第二红光结构(24)、所述第二绿光结构(32)横截面均为矩形。
3.根据权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述衬底(11)为SiC材料或者蓝宝石材料。
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