[实用新型]基于GaN的四原色LED芯片

说明书

本实用新型涉及一种基于GaN的四原色LED芯片，包括：依次层叠设置于衬底(11)之上的蓝光缓冲层(101)、蓝光稳定层(102)、蓝光n型层(103)、蓝光有源层(104)、蓝光阻挡层(105)、蓝光p型层(106)，设置于所述蓝光缓冲层(101)之上的第一红光结构(21)、第一绿光结构(31)、第二红光结构(22)、第二绿光结构(32)。本实用新型实施例，该四原色LED芯片将四色发光材料集成到单一芯片上，制备工艺简单，制作成本较低，且制备出的四原色LED芯片发光效率高、集成度高体积小。

技术领域

本实用新型属于LED芯片技术领域，具体涉及一种基于GaN的四原色 LED芯片。

背景技术

LED发光芯片，主要功能是把电能转化为光能，芯片的主要材料为单晶硅,是液晶显示屏的主要组成部件。四色技术推翻了彩色电视诞生以来所采用的红、绿、蓝三原色组合来表现色彩的显示方式，所谓四色技术，就是指在传统液晶面板的RGB(红、绿、蓝)三原色基础上新增加了一个颜色——黄色。通过四色面板技术和电视机回路技术的组合，实现了高画面质量图像的广色域化和高精细化，还有助于大幅降低能源消耗，四原色技术的问世，使普通三原色很难精确描绘的颜色得以准确表现，这是电视机半个世纪历史的革新。

但现有的四原色LED芯片通过采用将红色、绿色、蓝色、黄色芯片封装成一个单独的器件使其发出白色的光，采用封装工艺制备的器件会带来体积较大，集成度差，可靠性差等一系列问题，因此如何研制一种高集成度且发光效率高的四原色LED芯片是目前研究的热点问题。

实用新型内容

为了解决现有技术中存在的上述问题，本实用新型提供了一种基于 GaN的四原色LED芯片。本实用新型要解决的技术问题通过以下技术方案实现：

本实用新型实施例提供了一种基于GaN的四原色LED芯片，包括：

依次层叠设置于衬底11之上的蓝光缓冲层101、蓝光稳定层102、蓝光n型层103、蓝光有源层104、蓝光阻挡层105、蓝光p型层106，设置于所述蓝光缓冲层101之上的第一红光结构21、第一绿光结构31、第二红光结构24、第二绿光结构32。

在本实用新型的一个实施例中，还包括第二氧化隔离层12和第三氧化隔离层22，其中，所述第二氧化隔离层12设置于所述第一红光结构21和所述第二红光结构24沿出光方向的四周，所述第三氧化隔离层22设置于所述第一绿光结构31和第二绿光结构32沿出光方向的四周。

在本实用新型的一个实施例中，所述第一红光结构21、所述第一绿光结构31、所述第二红光结构24、所述第二绿光结构32横截面均为矩形。

在本实用新型的一个实施例中，所述衬底11为SiC材料或者蓝宝石材料。

与现有技术相比，本实用新型的有益效果：

该四原色LED芯片将四色发光材料集成到单一芯片上，成本较低，且发光效率高、集成度高、体积小。

附图说明

图1为本实用新型实施例提供的一种基于GaN的四原色LED芯片的结构示意图；

图2为本实用新型实施例提供的一种基于GaN的四原色LED芯片的蓝光结构的结构示意图；

图3为本实用新型实施例提供的一种基于GaN的四原色LED芯片的蓝光InGaN/GaN多量子阱结构示意图；

图4为本实用新型实施例提供的一种基于GaN的四原色LED芯片的红光灯芯槽的结构示意图；

图5为本实用新型实施例提供的一种基于GaN的四原色LED芯片的红光结构的结构示意图；

图6为本实用新型实施例提供的一种基于GaN的四原色LED芯片的红光GalnP/A1GaInP多量子阱的结构示意图；