[实用新型]一种CIGS薄膜预处理的系统有效
申请号: | 201721794016.X | 申请日: | 2017-12-20 |
公开(公告)号: | CN207542213U | 公开(公告)日: | 2018-06-26 |
发明(设计)人: | 徐义 | 申请(专利权)人: | 北京铂阳顶荣光伏科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/365;H01L31/032;H01L31/18 |
代理公司: | 北京维澳专利代理有限公司 11252 | 代理人: | 赵景平;张春雨 |
地址: | 100176 北京市大兴区北京*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电感线圈 阴极板 工艺腔室 功率电源 适配模块 等离子体 预处理 本实用新型 射频电源 石英罩 衬底 吸收率 凹凸不平 太阳能电池 供电 电压作用 工艺气体 环绕设置 射频电压 工艺腔 轰击 射线 平整 室内 | ||
本实用新型提供一种CIGS薄膜预处理的系统,包括:射频电源、电感线圈、工艺腔室、适配模块、阴极板和石英罩。所述电感线圈环绕设置于所述工艺腔室的顶部,所述工艺腔室的底部设置有阴极板,并在所述电感线圈与所述阴极板之间设置衬底。射频电源包括:第一功率电源和第二功率电源,第一功率电源通过适配模块对电感线圈供电,第二功率电源通过适配模块对阴极板供电。在所述射频电压的作用下,所述电感线圈形成的射线透过所述石英罩进入所述工艺腔室,使所述工艺腔室内的工艺气体形成等离子体,所述等离子体在电压作用下向所述阴极板方向运动,并轰击在衬底上CIGS薄膜的凹凸不平处,使CIGS薄膜平整。本实用新型能太阳能电池的吸收率和稳定性。
技术领域
本实用新型涉及太阳能电池薄膜技术领域,尤其涉及一种CIGS薄膜预处理的系统。
背景技术
在现有的太阳能电池技术中,铜铟镓硒(简称CIGS)薄膜太阳能电池具有光吸收能力强,稳定性好、抗辐照性能好、效率高、成本低,可以做成柔性组件,最适合用作光伏电池制作。在CIGS薄膜制备过程主要采用等离子体沉积,但是等离子体是由许多做随机运动的自由带电粒子组成的一个集合。其最简单的形成方法是通过射频电压源驱动两极板,使得在极板间的低压气体产生放电现象,当电流从一个极板流向另一个极板时,气体被“击穿”而产生等离子体。等离子体放电可以产生具有化学活性的物质,在衬底表层上沉积出薄膜。但是,过高的等离子体密度很容易对衬底表面产生过度损伤,导致所制备的薄膜缺陷过高,严重影响器件的效率。同时,射频频率越高,等离子体分布越不均匀,会导致衬底表面的成膜均匀性变差。因此,如何对CIGS薄膜表面平整处理具有巨大的应用前景和经济价值。
实用新型内容
本实用新型提供一种CIGS薄膜预处理的系统,解决现有CIGS薄膜采用等离子体制备过程中,薄膜表面不均匀,存在不平整的问题,能够获得更加平整的薄膜表面,提高CIGS薄膜太阳能电池的吸收率和稳定性。
为实现以上目的,本实用新型提供以下技术方案:
一种CIGS薄膜预处理的系统,包括:射频电源、电感线圈、工艺腔室、适配模块、阴极板和石英罩;
所述电感线圈环绕设置于所述工艺腔室的顶部,所述工艺腔室的底部设置有阴极板,并在所述电感线圈与所述阴极板之间设置衬底;
所述射频电源通过适配模块对所述电感线圈提供第一功率电源,所述射频电源通过适配模块对所述阴极板提供第二功率电源,其中,第一功率大于第二功率;
所述适配模块用于调节所述电感线圈和所述阴极板的电流,以形成射频电压,并使所述电感线圈产生指定频率的射线;
在所述射频电压的作用下,所述电感线圈形成的射线透过所述石英罩进入所述工艺腔室,使所述工艺腔室内的工艺气体形成等离子体,所述等离子体在电压作用下向所述阴极板方向运动,并轰击在衬底上CIGS薄膜的凹凸不平处,使所述CIGS薄膜平整。
优选的,所述电感线圈为Cu线圈,所述电感线圈为螺旋状设置在所述工艺腔室的顶部。。
优选的,所述工艺气体为氩气。
优选的,所述适配模块包括:第一电容和第二电容,所述第一电容为可调谐电容,所述第二电容为固定电容,所述第一电容与所述电感线圈串联连接,所述第二电容与所述电感线圈并联连接。
优选的,所述衬底为玻璃基板。
优选的,还包括:加热装置;
所述加热装置设置在所述工艺腔室内,使所述工艺气体的温度保持在设定温度范围内。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造