[实用新型]倒装LED芯片有效
申请号: | 201721796854.0 | 申请日: | 2017-12-20 |
公开(公告)号: | CN207896112U | 公开(公告)日: | 2018-09-21 |
发明(设计)人: | 刘岩;孙雪敬;闫宝玉;刘宇轩;陈顺利;丁逸圣 | 申请(专利权)人: | 大连德豪光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L33/44 | 分类号: | H01L33/44 |
代理公司: | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人: | 郑小粤;李双皓 |
地址: | 116051 辽宁省*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 绝缘层 半导体层 反射层 倒装LED芯片 反射复合层 第二区域 第一区域 衬底 绝缘 金属防护层 透明绝缘层 不重叠 | ||
1.一种倒装LED芯片,包括:
衬底(1);
位于所述衬底(1)上的半导体层,所述半导体层的表面具有不重叠的第一区域和第二区域;
设置在所述第一区域的第一反射层(4);和
设置在所述第一反射层(4)上的金属防护层(5);
其特征在于:还包括设置在所述第二区域的绝缘反射复合层,所述绝缘反射复合层包括:
靠近所述半导体层的第一绝缘层(6),所述第一绝缘层(6)为透明绝缘层;
远离所述半导体层的第二绝缘层(8);以及
夹于所述第一绝缘层(6)与所述第二绝缘层(8)之间的第二反射层(7)。
2.根据权利要求1所述的倒装LED芯片,其特征在于:所述半导体层两侧形成有漏出下方所述衬底(1)的切割道(15),所述切割道(15)用于在所述衬底(1)上分割出彼此相互绝缘独立的多个LED芯片。
3.根据权利要求1所述的倒装LED芯片,其特征在于:所述半导体层包括第一半导体层(2)和第二半导体层(3),所述第一半导体层(2)为P型和N型中的一种,所述第二半导体层(3)为P型和N型中的另一种。
4.根据权利要求3所述的倒装LED芯片,其特征在于:还包括第三绝缘层(11)、第一导电层(9)和第二导电层(10);
所述第三绝缘层(11)设置在所述第二绝缘层(8)远离所述半导体层的表面,所述第二绝缘层(8)与所述第三绝缘层(11)之间夹有相互绝缘的第一导电层(9)和第二导电层(10)。
5.根据权利要求4所述的倒装LED芯片,其特征在于:所述半导体层上形成有第一半导体层接触孔(14),所述第一半导体层接触孔(14)依次贯通所述金属防护层(5)、所述第一反射层(4)和所述第二半导体层(3),所述第一半导体层接触孔(14)的底部暴露出部分所述第一半导体层(2),所述第一导电层(9)覆盖在所述第一半导体层接触孔(14)内,使得所述第一导电层(9)与所述第一半导体层(2)相接触;
所述绝缘反射复合层上贯穿有第二半导体层接触孔(16),所述第二导电层(10)覆盖在所述第二半导体层接触孔(16)内,使得所述第二导电层(10)与所述金属防护层(5)相接触。
6.根据权利要求2所述的倒装LED芯片,其特征在于:所述绝缘反射复合层覆盖在所述半导体层与所述切割道(15)相邻的侧壁外表面。
7.根据权利要求2所述的倒装LED芯片,其特征在于:所述半导体层包括第一半导体层(2)和第二半导体层(3),所述第一半导体层(2)为P型和N型中的一种,所述第二半导体层(3)为P型和N型中的另一种,所述绝缘反射复合层覆盖在与所述切割道(15)相邻的所述第二半导体层(3)的部分上表面。
8.根据权利要求5所述的倒装LED芯片,其特征在于:所述绝缘反射复合层覆盖在所述第一半导体层接触孔(14)的孔壁。
9.根据权利要求5所述的倒装LED芯片,其特征在于:所述绝缘反射复合层覆盖在与所述第一半导体层接触孔(14)相邻的所述第二半导体层(3)的部分上表面。
10.根据权利要求4所述的倒装LED芯片,其特征在于:所述第三绝缘层(11)的表面上覆盖有第一电极(12)与第二电极(13),所述第一电极(12)与所述第二电极(13)通过所述第三绝缘层(11)上的开孔分别与所述第一导电层(9)和所述第二导电层(10)相接触。
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