[实用新型]倒装LED芯片

说明书

一种倒装LED芯片，包括：衬底；位于所述衬底上的半导体层，所述半导体层的表面具有不重叠的第一区域和第二区域；设置在所述第一区域的第一反射层；和设置在所述第一反射层上的金属防护层；还包括设置在所述第二区域的绝缘反射复合层，所述绝缘反射复合层包括：靠近所述半导体层的第一绝缘层，所述第一绝缘层为透明绝缘层；远离所述半导体层的第二绝缘层；以及夹于所述第一绝缘层与所述第二绝缘层之间的第二反射层。

技术领域

本实用新型涉及半导体光电芯片领域，尤其涉及一种倒装LED芯片的结构。

背景技术

发光二极管(Light-Emitting Diode,LED)是一种能将电转化为光的半导体电子元件，其中LED倒装芯片使光经过电极面反射后从蓝宝石的衬底面发出。当前LED倒装芯片常常使用的导电反射物质为金属Ag，Ag的面积大小决定了LED倒装芯片的出光效率。但是Ag的特性比较活泼，在导电的同时容易在LED结构内四处迁移扩散导致漏电，所以对Ag迁移的防护能力也影响着倒装芯片的可靠性能。

实用新型内容

基于此，有必要提供一种LED芯片，提高LED倒装芯片的出光效率的同时还防止LED倒装芯片漏电。

一种倒装LED芯片，包括：衬底；位于所述衬底上的半导体层，所述半导体层的表面具有不重叠的第一区域和第二区域；设置在所述第一区域的第一反射层；和设置在所述第一反射层上的金属防护层；其特征在于：还包括设置在所述第二区域的绝缘反射复合层，所述绝缘反射复合层包括：靠近所述半导体层的第一绝缘层，所述第一绝缘层为透明绝缘层；远离所述半导体层的第二绝缘层；以及夹于所述第一绝缘层与所述第二绝缘层之间的第二反射层。

在其中一个实施例中，所述半导体层两侧形成有漏出下方所述衬底的切割道，所述切割道用于在所述衬底上分割出彼此相互绝缘独立的多个LED芯片。

在其中一个实施例中，所述半导体层包括第一半导体层和第二半导体层，所述第一半导体层为P型和N型中的一种，所述第二半导体层为P型和N型中的另一种。

在其中一个实施例中，还包括第三绝缘层、第一导电层和第二导电层；

在其中一个实施例中，所述第三绝缘层设置在所述第二绝缘层远离所述半导体层的表面，所述第二绝缘层与所述第三绝缘层之间的夹有相互绝缘的第一导电层和第二导电层。

在其中一个实施例中，所述半导体层上形成有第一半导体层接触孔，所述第一半导体层接触孔依次贯通所述金属防护层、所述第一反射层和所述第二半导体层，所述第一半导体层接触孔的底部暴露出部分所述第一半导体层，所述第一导电层覆盖在所述第一半导体层接触孔内，使得所述第一导电层与所述第一半导体层相接触；所述绝缘反射复合层上贯穿有第二半导体层接触孔，所述第二导电层覆盖在所述第二半导体层接触孔内，使得所述第二导电层与所述金属防护层相接触。

在其中一个实施例中，所述绝缘反射复合层覆盖在所述半导体层与所述切割道相邻的侧壁外表面。

在其中一个实施例中，所述绝缘反射复合层覆盖在与所述切割道相邻的所述第二半导体层的部分上表面。

在其中一个实施例中，所述绝缘反射复合层覆盖在所述第一半导体层接触孔的孔壁。

在其中一个实施例中，所述绝缘反射复合层覆盖在与所述第一半导体层接触孔相邻的所述第二半导体层的部分上表面。

在其中一个实施例中，所述第三绝缘层的表面上覆盖有第一电极与第二电极，所述第一电极与所述第二电极通过所述第三绝缘层上的开孔分别与所述第一导电层和所述第二导电层相接触。

所述第二反射层通过所述第一、第二绝缘层与外界隔离，有效的阻止了金属离子的迁移，防止了LED芯片的漏电，提高了LED芯片的稳定性，且无需扩大第一反射层的面积，也能够取得较好的出光效率。

附图说明