[实用新型]一种耐弯折多层透明导电薄膜有效
| 申请号： | 201721826444.6 | 申请日： | 2017-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN207637513U | 公开（公告）日： | 2018-07-20 |
| 发明（设计）人： | 杨勇;姚婷婷;金克武;李刚;沈洪雪;彭赛奥;汤永康;金良茂;甘治平;马立云 | 申请（专利权）人： | 中建材蚌埠玻璃工业设计研究院有限公司 |
| 主分类号： | H01B5/14 | 分类号： | H01B5/14;H01B1/08 |
| 代理公司： | 安徽省蚌埠博源专利商标事务所 34113 | 代理人： | 陈俊 |
| 地址： | 233010 安徽*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 金属层 多层透明导电薄膜 半球形凹坑 耐弯折 膜系 矩形阵列分布 导电性 本实用新型 导电作用 基底顶面 节约材料 耐弯折性 透过率 顶面 基底 | ||
【权利要求书】：
1.一种耐弯折多层透明导电薄膜，包括基底，其特征在于，所述基底顶面由下至上依次设有下TCO膜层、金属层与上TCO膜层；所述金属层顶面设有一组半球形凹坑，半球形凹坑呈矩形阵列分布。
2.根据权利要求1所述的一种耐弯折多层透明导电薄膜，其特征在于，所述半球形凹坑的直径为2～10µm。
3.根据权利要求1或2所述的一种耐弯折多层透明导电薄膜，其特征在于，所述金属层采用镍、铝、银或金。
4.根据权利要求1或2所述的一种耐弯折多层透明导电薄膜，其特征在于，所述上TCO膜层与下TCO膜层为ITO薄膜、AZO薄膜或FTO薄膜。
5.根据权利要求1或2所述的一种耐弯折多层透明导电薄膜，其特征在于，相邻两个半球形凹坑的间距为200～600nm。
6.根据权利要求1或2所述的一种耐弯折多层透明导电薄膜，其特征在于，所述金属层底面至顶面最高点的厚度为20～40nm。
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