[实用新型]一种耐弯折多层透明导电薄膜

说明书

本实用新型公开一种耐弯折多层透明导电薄膜，包括基底，所述基底顶面由下至上依次设有下TCO膜层、金属层与上TCO膜层；所述金属层顶面设有一组半球形凹坑，半球形凹坑呈矩形阵列分布；金属层的特殊结构设计，能有效的提高整个膜系的导电性和耐弯折性，同时可以减少TCO膜层的厚度，节约材料成本；并且使整个膜系透过率良好；上、下TCO膜层一方面起导电作用，另一方面对金属层起保护作用。

技术领域

本实用新型涉及导电薄膜技术领域，具体是一种耐弯折多层透明导电薄膜。

背景技术

目前，太阳能电池、柔性信息显示器件、电致发光及平板显示器等光电器件中均需要低电阻、高透光性能的透明电极。透明导电氧化物薄膜(TCO)，如氧化铟系、氧化锌系以及氧化锡系的薄膜通常作为上述器件的透明电极。

透明导电氧化物薄膜也有着一些缺陷，例如：只有当薄膜到达一定厚度时，其电阻率才能满足要求；薄膜不耐弯折、易碎，也限制了其在柔性基底上的应用；而且一些金属元素（如铟）的匮乏使得透明导电氧化物薄膜的造价昂贵，所以迫切需要改善这些劣势，以使其满足柔性信息显示方面的应用。金属基复合透明导电多层膜，如ITO/M/ITO三明治结构作为ITO薄膜的替代材料，在一定程度上提高了其电导率及耐弯折性，但其透明性受到了影响。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种耐弯折多层透明导电薄膜，该导电薄膜具有耐弯折、导电性能良好的优点。

本实用新型解决其技术问题所采用的技术方案是：

一种耐弯折多层透明导电薄膜，包括基底，所述基底顶面由下至上依次设有下TCO膜层、金属层与上TCO膜层；所述金属层顶面设有一组半球形凹坑，半球形凹坑呈矩形阵列分布。

进一步的，所述半球形凹坑的直径为2～10µm。

进一步的，所述金属层采用镍、铝、银或金。

进一步的，所述上TCO膜层与下TCO膜层为ITO薄膜、AZO薄膜或FTO薄膜。

进一步的，相邻两个半球形凹坑的间距为200～600nm。

进一步的，所述金属层底面至顶面最高点的厚度为20～40nm。

本实用新型的有益效果是：

一、金属层的特殊结构设计，能有效的提高整个膜系的导电性和耐弯折性，同时可以减少TCO膜层的厚度，节约材料成本；并且使整个膜系透过率良好。

二、上、下TCO膜层一方面起导电作用，另一方面对金属层起保护作用。

附图说明

下面结合附图和实施例对本实用新型进一步说明：

图1是本实用新型的结构示意图；

图2是本实用新型金属层的俯视图。

具体实施方式

结合图1与图2所示，本实用新型提供一种耐弯折多层透明导电薄膜，包括基底1，基底1可采用柔性基底或玻璃基底，柔性基底例如可以是聚乙烯醇薄膜、聚酰亚胺薄膜或聚酯薄膜；基底1顶面由下至上依次设有下TCO膜层2、金属层3与上TCO膜层4；金属层3可采用镍、铝、银或金。

金属层3顶面设有一组半球形凹坑3a，半球形凹坑3a呈矩形阵列分布。半球形凹坑3a的直径为2～10µm，相邻两个半球形凹坑的间距为200～600nm，金属层3底面至顶面最高点的厚度为20～40nm。上TCO膜层4底面与金属层3顶面的形状相适应配合。

上TCO膜层4与下TCO膜层2可以为ITO薄膜、AZO薄膜或FTO薄膜。

以上所述，仅是本实用新型的较佳实施例而已，并非对本实用新型作任何形式上的限制；任何熟悉本领域的技术人员，在不脱离本实用新型技术方案范围情况下，都可利用上述揭示的方法和技术内容对本实用新型技术方案做出许多可能的变动和修饰，或修改为等同变化的等效实施例。因此，凡是未脱离本实用新型技术方案的内容，依据本实用新型的技术实质对以上实施例所做的任何简单修改、等同替换、等效变化及修饰，均仍属于本实用新型技术方案保护的范围内。