[实用新型]一种CMOS传感器封装结构及其器件有效
| 申请号： | 201721826749.7 | 申请日： | 2017-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN207572367U | 公开（公告）日： | 2018-07-03 |
| 发明（设计）人： | 吴振兴;林刘毓;刘浩哲;吴绍懋;程子桓;蔡希杰;宋身修;翁良志;刘健群;王逸群;潘宇翔;丘立安;黃乾燿 | 申请（专利权）人： | 成都先锋材料有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 北京超凡志成知识产权代理事务所(普通合伙) 11371 | 代理人： | 郭新娟 |
| 地址： | 610000 四川省*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 封装结构 封装过程 加工制造成本 封装密封性 影像传感器 影像感测器 产品品质 封装密封 能耗成本 制造环境 塑封体 透光板 封装 晶圆 贴合 无尘 密封 裸露 加工 | ||
1.一种CMOS传感器封装结构，其特征在于，其沿所述CMOS传感器封装结构的厚度方向依次包括晶片载体、CMOS影像感测器晶圆和透光板，所述晶片载体和所述CMOS影像感测器晶圆之间以及所述CMOS影像感测器晶圆和所述透光板之间均为层密封接合，所述晶片载体和所述CMOS影像感测器晶圆电性连接，从而形成第一封装结构；所述CMOS传感器封装结构还设置有用于密封所述第一封装结构裸露面的塑封体。
2.根据权利要求1所述的CMOS传感器封装结构，其特征在于，所述塑封体固化成型于所述裸露面表面。
3.根据权利要求1或2所述的CMOS传感器封装结构，其特征在于，所述裸露面包括第一裸露表面、第二裸露表面、第三裸露表面和第四裸露表面，所述第一裸露表面为与所述CMOS影像感测器晶圆侧表面相邻的所述晶片载体的裸露表面，所述第二裸露表面为所述CMOS影像感测器晶圆裸露于外的表面，所述第三裸露表面为所述透光板的侧表面，所述第四裸露表面为用于电性连接所述晶片载体和所述CMOS影像感测器晶圆的导线表面。
4.根据权利要求1或2所述的CMOS传感器封装结构，其特征在于，所述层密封接合的连接方式为粘接。
5.根据权利要求1或2所述的CMOS传感器封装结构，其特征在于，所述塑封体是由塑封剂制成。
6.根据权利要求1或2所述的CMOS传感器封装结构，其特征在于，所述CMOS影像感测器晶圆和所述透光板层密封连接使用的连接剂为高透光黏合剂。
7.根据权利要求1或2所述的CMOS传感器封装结构，其特征在于，所述CMOS影像感测器晶圆和所述晶片载体层密封连接使用的连接剂为晶片接合剂。
8.根据权利要求1所述的CMOS传感器封装结构，其特征在于，所述透光板是由玻璃制成。
9.根据权利要求1所述的CMOS传感器封装结构，其特征在于，所述透光板是由蓝宝石制成。
10.一种CMOS传感器器件，其特征在于，其包括权利要求1-9任意一项所述的CMOS传感器封装结构。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
