[实用新型]一种CMOS传感器封装结构及其器件有效
申请号: | 201721826749.7 | 申请日: | 2017-12-22 |
公开(公告)号: | CN207572367U | 公开(公告)日: | 2018-07-03 |
发明(设计)人: | 吴振兴;林刘毓;刘浩哲;吴绍懋;程子桓;蔡希杰;宋身修;翁良志;刘健群;王逸群;潘宇翔;丘立安;黃乾燿 | 申请(专利权)人: | 成都先锋材料有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 北京超凡志成知识产权代理事务所(普通合伙) 11371 | 代理人: | 郭新娟 |
地址: | 610000 四川省*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 封装结构 封装过程 加工制造成本 封装密封性 影像传感器 影像感测器 产品品质 封装密封 能耗成本 制造环境 塑封体 透光板 封装 晶圆 贴合 无尘 密封 裸露 加工 | ||
一种CMOS传感器封装结构及其器件,其主要涉及影像传感器技术领域。该CMOS传感器封装结构通过设置用于密封第一封装结构裸露面的塑封体,使得CMOS传感器封装结构具备较低的加工成本和较佳的封装密封性;另外,该CMOS传感器封装结构对应的封装方法通过最先对CMOS影像感测器晶圆进行透光板的贴合,使得CMOS传感器的后续封装过程中无需高无尘度的制造环境,大大降低了封装过程中的设备及能耗成本。因此,上述的CMOS传感器封装结构及包含有上述CMOS传感器封装结构的CMOS传感器器件,具备良好的封装密封性能和较低的加工制造成本,其有利于企业在降低生产成本的同时,提高产品品质,故其具备重要的推广应用价值。
技术领域
本实用新型涉及影像传感器技术领域,具体而言,涉及一种CMOS传感器封装结构及其器件。
背景技术
CMOS(Complementary Metal-Oxide Semiconductor的缩写,中文意思为互补性氧化金属半导体)传感器,属于影像传感器中的一种,一般为数码相机中的核心部件。
目前,传统的CMOS传感器存在的技术问题是:封装制造成本高、封装密封性差。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种CMOS传感器封装结构,其具有较佳的密封性和较低的生产加工成本
本实用新型的另一目的在于提供一种CMOS传感器器件,其包括上述的CMOS传感器封装结构,具备上述CMOS传感器封装结构的各项优点。
本实用新型的实施例是这样实现的:
一种CMOS传感器封装结构,其沿CMOS传感器封装结构的厚度方向依次包括晶片载体、CMOS影像感测器晶圆和透光板,晶片载体和CMOS影像感测器晶圆之间以及CMOS影像感测器晶圆和透光板之间均为层密封接合,晶片载体和CMOS影像感测器晶圆电性连接,从而形成第一封装结构;CMOS传感器封装结构还设置有用于密封第一封装结构裸露面的塑封体。
进一步地,在本实用新型较佳的实施例中,上述塑封体固化成型于裸露面表面。
进一步地,在本实用新型较佳的实施例中,上述裸露面包括第一裸露表面、第二裸露表面、第三裸露表面和第四裸露表面,第一裸露表面为与CMOS影像感测器晶圆侧表面相邻的晶片载体的裸露表面,第二裸露表面为CMOS影像感测器晶圆裸露于外的表面,第三裸露表面为透光板的侧表面,第四裸露表面为用于电性连接晶片载体和CMOS影像感测器晶圆的导线表面。
进一步地,在本实用新型较佳的实施例中,上述层密封接合的连接方式为粘接。
进一步地,在本实用新型较佳的实施例中,上述塑封体是由塑封剂制成。
进一步地,在本实用新型较佳的实施例中,上述CMOS影像感测器晶圆和透光板层密封连接使用的连接剂为高透光黏合剂。
进一步地,在本实用新型较佳的实施例中,上述CMOS影像感测器晶圆和晶片载体层密封连接使用的连接剂为晶片接合剂。
进一步地,在本实用新型较佳的实施例中,上述透光板是由玻璃制成。
进一步地,在本实用新型较佳的实施例中,上述透光板是由蓝宝石制成。
一种CMOS传感器器件,其包括上述的CMOS传感器封装结构。
本实用新型实施例的有益效果是:本实用新型实施例提供的CMOS传感器封装结构通过设置用于密封第一封装结构裸露面的塑封体,使得CMOS传感器封装结构具备较低的加工成本和较佳的封装密封性,因此,本实用新型实施例提供的CMOS传感器封装结构及其器件,具备良好的封装密封性能和较低的加工制造成本,其有利于企业提高产品品质和降低生产成本,从而获得较佳的经济效益,故其具备重要的推广应用价值。
附图说明
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的