[实用新型]一种金锡焊盘单层陶瓷电容器

说明书

本实用新型公开一种金锡焊盘单层陶瓷电容器。所述金锡焊盘单层陶瓷电容器包括：第一电极层、介质层、第二电极层和金锡焊层，所述第一电极层通过所述介质层与所述第二介质层连接，所述金锡焊层设置在所述第一电极层或所述第二电极层上。本实用新型提高了单层瓷介电容器封装的效率，降低了封装所用金锡焊料的成本。

技术领域

本实用新型涉及电容器领域，特别是涉及一种金锡焊盘单层陶瓷电容器。

背景技术

随着微波通讯技术的发展，通讯频率不断向高频化的方向发展，民移动通讯的频率从900MHz发展到1800MHz，再发展到2400MHz，军用雷达信号频率从18GHz逐渐发展到40GHz，电子元件如电容器也不断的朝高频化的方向发展。

片式单层陶瓷电容器(Single Layer Capacitors；SLC)无内电极，等效串联电感(Equivalent Series Inductance；ESL)ESL和等效串联电阻(Equivalent SeriesResistance；ESR)较小，故高频性能好，在微波通讯领域的应用越来越广泛。由于SLC表面一般使用Au、Cu、Al等金属作为电极，底电极通过导电胶或PbSn、AuSn等焊料粘接于集成电路或陶瓷薄膜电路相应的焊盘上，上电极通过引线键合(Wire Bonding)技术与其他电路元件实现电气互连，满足微组装封装工艺，因此SLC大量应用于微波混合集成电路，起滤波、隔直、耦合、去耦等作用，在现代民用及军用通讯设备中的用量越来越大。

传统的金锡合金封装工艺一般先将金锡合金预成型片放置于需要封装的区域，然后在金锡预成型片上放置元件，最后加热到280～320℃之间使金锡合金预成型片熔化，当温度降到熔点以下(如室温)便完成封装过程。使用金锡预成型片进行封装，有三个显著的缺点：第一，金锡预成型片放置于待封装区域，无法精确定位，从而导致封装精度差；第二，放置金锡预成型片的过程消耗时间，影响封装效率；第三，金锡合金预成型片最薄为25微米，而金锡焊盘封装金锡层厚度只需要3-5μm即可，因此，使用金锡合金预成型片成本高。

发明内容

本实用新型的目的是提供一种金锡焊盘单层陶瓷电容器，用来提高单层瓷介电容器封装的效率以及降低封装所用金锡焊料的成本。

为实现上述目的，本实用新型提供了如下方案：

一种金锡焊盘单层陶瓷电容器，包括：第一电极层、介质层、第二电极层和金锡焊层，所述第一电极层通过所述介质层与所述第二介质层连接，所述金锡焊层设置在所述第一电极层或所述第二电极层上。

可选的，所述金锡焊层的厚度为0.1～100μm，所述金锡焊层的熔点为280～320℃。

可选的，所述介质层的材料为陶瓷。

可选的，所述第一电极层的材料为单层金属或多层金属；所述第二电极层的材料为单层金属或多层金属。

可选的，所述单层金属的材料为银、铜、镍、锡或金。

可选的，所述多层金属的材料为钛钨/金、钛钨/镍/金/或钛/铜/金。

根据本实用新型提供的具体实施例，本实用新型公开了以下技术效果：

本实用新型的金锡焊盘单层陶瓷电容器，在电路表面需要金锡焊接的地方，电镀上了一层金锡焊料，形成金锡焊层。本实用新型的有益效果是：第一，金锡焊层实现了精确定位；第二，不用放置金锡预成型片，提高了封装效率；第三，大大降低了金锡合金的用量，降低了封装所使用的金锡的成本。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。