[实用新型]一种H型温度补偿型石英晶体振荡器

说明书

本实用新型公开了一种H型温度补偿型石英晶体振荡器，包括陶瓷基座，石英晶体，温度补偿芯片，所述的陶瓷基座的上表面的开设有主凹槽，在主凹槽底部开设有凹槽，在凹槽内形成一个台阶，石英晶体一端通过胶点安装在主凹槽的台阶上，石英晶体倾斜设置，在陶瓷基座的下表面开设有辅凹槽，在辅凹槽内放置有温度补偿芯片，温度补偿芯片置于辅凹槽的上表面，在温度补偿芯片的下方设置有用于保护温度补偿芯片的填充层。优点是使石英晶片与补偿芯片之间仅相隔一层薄的陶瓷，有利于提升温度补偿晶体振荡器整个温区的频率精度。

技术领域

本实用新型涉及石英晶体振荡器领域，特别是一种H型温度补偿型石英晶体振荡器。

背景技术

石英晶体谐振器简称为晶振，它是利用具有压电效应的石英晶体片制成的。这种石英晶体片受到外加交变电场的作用时会产生机械振动，当交变电场的频率与石英晶体的固有频率相同时，便会输出稳定的频率。

温度补偿型石英晶体振荡器是一种将温度补偿芯片与石英晶体谐振器封装在一起的石英晶体振荡器。该H型温度补偿型石英晶体振荡器温度补偿芯片与石英晶体封装在一起，提升了整个温度区域内的频率精度，常用于通信与智能系统中。

实用新型内容

本实用新型的目的在于克服现有技术的缺点，提供一种H型温度补偿型石英晶体振荡器。

本实用新型的目的通过以下技术方案来实现：一种H型温度补偿型石英晶体振荡器，包括陶瓷基座，石英晶体，温度补偿芯片，所述的陶瓷基座的上表面的开设有主凹槽，在主凹槽底部开设有凹槽，在凹槽内形成一个台阶，石英晶体一端通过胶点安装在主凹槽的台阶上，石英晶体倾斜设置，在陶瓷基座的下表面开设有辅凹槽，在辅凹槽内放置有温度补偿芯片，温度补偿芯片置于辅凹槽的上表面，在温度补偿芯片的下方设置有用于保护温度补偿芯片的填充层。

具体地，所述的主凹槽与辅凹槽之间的陶瓷基座上安装有导电柱，导电柱的一端与石英晶体连接，导电柱的另一端与温度补偿芯片连接。

具体地，所述的导电柱与温度补偿芯片之间通过焊接连接。

具体地，所述的主凹槽上设置有密封盖板。

本实用新型的有益效果如下：在较小的厚度范围内将石英晶体与温度补偿芯片封装在一起，使石英晶片与补偿芯片之间仅相隔一层薄的陶瓷，陶瓷具有良好的导热性能，如此石英晶片和温补芯片之间的温度一致性非常好，有利于提升温度补偿晶体振荡器整个温区的频率精度。

附图说明

图1 为本实用新型的结构示意图；

图中：1-主凹槽，2-石英晶体，3-盖板，4-陶瓷基座，5-温度补偿芯片，6-填充层，7-辅凹槽，8-胶点。

具体实施方式

下面结合附图对本实用新型做进一步的描述，但本实用新型的保护范围不局限于以下所述。

如图1所示，一种H型温度补偿型石英晶体振荡器，包括陶瓷基座4、石英晶体2和温度补偿芯片5，石英晶体2通过胶点8安装于置于陶瓷基座4上表面开设的主凹槽1内，温度补偿芯片5置于辅凹槽7的上表面，导电柱与温度补偿芯片5之间通过焊接连接，在辅凹槽7内填充有用于保护温度补偿芯片5和填充层6。

进一步地，所述的主凹槽1与辅凹槽7之间的陶瓷基座4上安装有导电柱，导电柱的一端与石英晶体2连接，导电柱的另一端与温度补偿芯片5连接，导电柱在陶瓷基座4上可以移动。

进一步地，所述的导电柱与温度补偿芯片5之间通过焊接连接。

进一步地，所述的主凹槽1上设置有密封盖板3，盖板将石英晶体密封在主凹槽内，形成封闭的空间。

本实用新型的工作过程如下：在陶瓷基座4的上表面和下表面分别设置有主凹槽1和辅凹槽7，主凹槽1用于放置石英晶体2，辅凹槽7用于放置温度补偿芯片5，达到将石英晶体2和温度补偿芯片5集成在陶瓷基座4内的目的，设置的填充层6可以保护温度补偿芯片5，在较小的厚度范围内将石英晶体2与温度补偿芯片5封装在一起，使石英晶体2与温度补偿芯片5之间仅相隔一层薄的陶瓷，陶瓷具有良好的导热性能，如此石英晶体2和温度补偿芯片5之间的温度一致性非常好，有利于提升温度补偿晶体振荡器整个温区的频率精度。