[实用新型]高压LED芯片

权利要求书

1.一种高压LED芯片(100)，其特征在于，包括：

衬底(10)；

第一芯片(210)设置于所述衬底(10)，所述第一芯片(210)包括垂直于所述衬底(10)表面依次生长的第一N型半导体层(211)、第一发光层(212)和第一P型半导体层(213)；

与所述第一芯片(210)间隔设置的第二芯片(220)设置于所述衬底(10)，所述第二芯片(220)包括垂直于所述衬底(10)表面依次生长的第二N型半导体层(221)、第二发光层(222)和第二P型半导体层(223)；

所述第一N型半导体层(211)靠近所述第二芯片(220)的侧面为第一侧面(30)，所述第一侧面(30)与所述衬底(10)表面所成的夹角为30-55度；

连接电极(40)，覆盖于所述第一侧面(30)和所述第二芯片(220)靠近所述第一芯片(210)的侧面，所述连接电极(40)将所述第一N型半导体层(211)与所述第二P型半导体层(223)电连接，并且与所述第二发光层(222)和所述第二P型半导体层(223)电绝缘。

2.根据权利要求1所述的高压LED芯片(100)，其特征在于，所述连接电极(40)为多个，多个所述连接电极(40)相互间隔设置。

3.根据权利要求1所述的高压LED芯片(100)，其特征在于，所述连接电极(40)的一端覆盖所述第一N型半导体层(211)的部分表面，并与所述第一发光层(212)和所述第一P型半导体层(213)间隔设置。

4.根据权利要求3所述的高压LED芯片(100)，其特征在于，还包括第一绝缘层(50)，设置于所述第二芯片(220)靠近于所述第一芯片(210)的侧面与所述连接电极(40)之间。

5.根据权利要求4所述的高压LED芯片(100)，其特征在于，所述第一绝缘层(50)覆盖所述第一侧面(30)，并设置于所述第一侧面(30)与所述连接电极(40)之间。

6.根据权利要求4所述的高压LED芯片(100)，其特征在于，所述连接电极(40)的另一端覆盖所述第二P型半导体层(223)的部分表面。

7.根据权利要求6所述的高压LED芯片(100)，其特征在于，所述第一绝缘层(50)的一端覆盖所述第二P型半导体层(223)的部分表面，覆盖所述第二P型半导体层(223)的所述第一绝缘层(50)设置于所述第二P型半导体层(223)和所述连接电极(40)之间。

8.根据权利要求7所述的高压LED芯片(100)，其特征在于，还包括第二透明导电层(61)部分覆盖第二P型半导体层(223)，部分设置于所述第一绝缘层(50)与所述连接电极(40)之间。

9.根据权利要求7所述的高压LED芯片(100)，其特征在于，还包括：

第一透明导电层(60)，覆盖所述第一P型半导体层(213)；

第一P型电极(214)，设置与所述第一透明导电层(60)表面，所述第一透明导电层(60)设置于所述第一P型电极(214)与所述第一P型半导体层(213)之间；

第二N型电极(224)，设置于所述第二N型半导体层(221)表面。

10.根据权利要求9所述的高压LED芯片(100)，其特征在于，还包括第二绝缘层(51)，覆盖所述第一P型半导体层的部分表面，并设置于所述第一P型半导体层213与所述第一透明导电层60之间。

11.根据权利要求1-10任一项所述的高压LED芯片(100)，其特征在于，所述第二芯片(220)靠近所述第一芯片(210)的侧面与所述衬底(10)表面所成的夹角为30-55度。