[实用新型]高压LED芯片

说明书

本实用新型提供一种高压LED芯片，所述高压LED芯片包括衬底、第一芯片、第二芯片和连接电极。所述第一芯片设置于所述衬底，所述第一芯片包括垂直于所述衬底表面依次生长的第一N型半导体层、第一发光层和第一P型半导体层。所述第二芯片与所述第一芯片间隔设置，所述第二芯片包括垂直于所述衬底表面依次生长的第二N型半导体层、第二发光层和第二P型半导体层。所述第一N型半导体层靠近所述第二芯片的侧面为第一侧面，所述第一侧面与所述衬底表面所成的夹角为30‑55度。所述连接电极覆盖于所述第一侧面和第二芯片靠近所述第一芯片的侧面。所述连接电极将所述第一N型半导体层与所述第二P型半导体层电连接且与所述第二发光层和第二N型半导体层电绝缘。

技术领域

本实用新型涉及半导体光电芯片技术领域，特别是涉及一种高压LED芯片。

背景技术

发光二极管(Light Emitting Diode，LED)由于拥有高光效、低耗能、长寿命、无毒绿色等优点正逐步成为传统照明市场的主流照明光源，在景观照明、道路照明、室内照明等领域得到愈来愈多的应用。高压LED(High-Voltage LED)以其小电流驱动、简洁的驱动电路设计等优点逐渐成为照明领域的新突破。高压LED是指把一个大尺寸芯片的外延层通过刻蚀深沟槽的方式分割为多个独立的芯粒，并通过蒸镀电极连接桥的方式将各个芯粒以串联的方式连接起来而构成的LED芯片，由于单个芯粒的电压在20mA电流的驱动下为3V，因此，串联后获得的LED芯片的工作电压可以达到45-51V，故称为高压LED芯片。

现有高压LED芯片隔离槽的角度多为大角度(大于55度)，金属互联覆盖在大角度隔离槽上容易过薄或者断裂，并且现有串联结构主要为单桥串联结构，这些使器件良率和可靠性上存在一定风险。

实用新型内容

基于此，有必要针对高压LED芯片的器件良率和可靠性低的问题，提供一种高压LED芯片。

本实用新型提供一种高压LED芯片，所述高压LED芯片包括衬底、第一芯片、第二芯片和连接电极。所述第一芯片设置于所述衬底，所述第一芯片包括垂直于所述衬底表面依次生长的第一N型半导体层、第一发光层和第一P型半导体层。所述第二芯片与所述第一芯片间隔设置，所述第二芯片包括垂直于所述衬底表面依次生长的第二N型半导体层、第二发光层和第二P型半导体层。所述第一N型半导体层靠近所述第二芯片的侧面为第一侧面，所述第一侧面与所述衬底表面所成的夹角为30-55度。所述连接电极覆盖于所述第一侧面和第二芯片靠近所述第一芯片的侧面。所述连接电极将所述第一N型半导体层与所述第二P型半导体层电连接且与所述第二发光层和第二N型半导体层之间电绝缘。

在其中一个实施例中，所述连接电极为多个，多个所述连接电极相互间隔设置。

在其中一个实施例中，所述连接电极的一端覆盖所述第一N型半导体层的部分表面，并与所述第一发光层和所述第一P型半导体层间隔设置。

在其中一个实施例中，所述高压LED芯片还包括第一绝缘层，设置于所述第二芯片靠近于所述第一芯片的侧面与所述连接电极之间。

在其中一个实施例中，所述第一绝缘层覆盖所述第一侧面，并设置于所述第一侧面与所述连接电极之间。

在其中一个实施例中，所述连接电极的另一端覆盖所述第二P型半导体层的部分表面。

在其中一个实施例中，所述第一绝缘层的一端覆盖所述第二P型半导体层的部分表面，覆盖所述第二P型半导体层的所述第一绝缘层设置于所述第二P型半导体层和所述连接电极之间。

在其中一个实施例中，所述高压LED芯片还包括第二透明导电层，所述第二透明导电层部分覆盖所述第二P型半导体层，部分设置于所述第一绝缘层和所述连接电极之间。