[实用新型]一种散热元件和IGBT模组

说明书

本公开涉及一种散热元件，该散热元件包括散热本体和散热柱，所述散热本体为铝硅碳散热本体；所述散热柱的一端通过焊层固定在所述铝硅碳散热本体的下侧表面上，所述散热柱的另一端为自由端。本公开还提供了一种IGBT模组，该IGBT模组包括IGBT电路板和如上所述的散热元件。通过上述技术方案，本公开将散热柱通过焊层焊接在铝硅碳散热本体上，在保证散热效果的同时，不需要进行一体成型来形成散热柱，由此大大降低了一体成型模具的脱模损耗，延长了一体成型模具的寿命。

技术领域

本公开涉及散热器技术领域，具体地，涉及一种散热元件和IGBT模组。

背景技术

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)是一种由双极型三极管和绝缘栅型场效应管组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件，广泛应用于各种电子设备上。随着变频器等高电流电子设备的发展，对于IGBT芯片的性能提出了更高的要求，IGBT芯片承受更高的电流，其工作时产生的热量不断增加，因此需要散热元件来加速散热。

现有IGBT散热元件中往往通过一体成型来设置散热柱来增大散热面积和增强散热能力。但是，一体成型散热柱的制备对一体成型的模具的损耗较高，模具使用寿命非常短。

实用新型内容

本公开的目的是提供一种散热元件，该散热元件具有良好的散热效果且不需要通过一体成型来形成散热柱。

为了实现上述目的，本公开提供了一种散热元件，该散热元件包括散热本体和散热柱，所述散热本体为铝硅碳散热本体；所述散热柱的一端通过焊层固定在所述铝硅碳散热本体的下侧表面上，所述散热柱的另一端为自由端。

可选地，所述散热柱为多个；所述散热柱为铜柱、铝柱、铝合金柱和铝覆铜柱中的至少一种。

可选地，所述散热柱的拔模角β为0度～4度，所述散热柱的高度为5～10毫米，所述散热柱的横截面为圆形且所述散热柱的横截面的直径为2～6毫米。

可选地，所述散热柱为多个，相邻两个所述散热柱的距离为0.4毫米～1.1毫米，所述散热柱的拔模角β为0度～2度。

可选地，所述散热柱为多组散热柱，所述多组散热柱沿所述铝硅碳散热本体的长度方向间隔设置，所述多组散热柱包括沿所述铝硅碳散热本体的长度方向交替设置的第一子组的散热柱和第二子组的散热柱(5)所述第一子组的散热柱和所述第二子组的散热柱中均包括沿所述铝硅碳散热本体的宽度方向间隔设置的多个散热柱。

可选地，所述焊层为Pb基焊层或Sn基焊层；所述焊层的厚度为0.01mm～0.5mm；所述焊层分布于所述散热柱与所述铝硅碳散热本体结合的区域且为连续的焊层。

可选地，所述焊层为PbSn焊层、PbSnAg焊层、SnAg焊层或SnSb焊层。

可选地，所述铝硅碳散热本体包括碳化硅多孔骨架和通过渗铝一体成型的结合在所述碳化硅多孔骨架内部的铝。

可选地，所述铝硅碳散热本体和所述焊层之间还具有镀层，所述镀层为镀镍层、镀镍金层和镀铜层中的至少一种。

可选地，所述镀层的厚度为3～30微米。

可选地，该散热元件还包括陶瓷覆铝导热体，所述铝硅碳散热本体上一体成型地结合有一个或多个所述陶瓷覆铝导热体，所述散热柱与所述陶瓷覆铝导热体分别设置在所述铝硅碳散热本体的相对的两个表面上。

可选地，所述陶瓷覆铝导热体包括陶瓷绝缘板和设置于所述陶瓷绝缘板的相对的两个表面上的第一铝层和第二铝层，并且所述陶瓷绝缘板通过所述第一铝层一体成型地连接在所述铝硅碳散热本体上；所述陶瓷绝缘板将所述第二铝层与所述第一铝层隔离，且所述第二铝层和所述铝硅碳散热本体隔离。

可选地，所述铝硅碳散热本体与所述第一铝层相连接的表面为平整表面。