[实用新型]一种高电压大功率晶体管分离模具有效
申请号: | 201721867303.9 | 申请日: | 2017-12-28 |
公开(公告)号: | CN207624670U | 公开(公告)日: | 2018-07-17 |
发明(设计)人: | 宋岩 | 申请(专利权)人: | 大连泰一半导体设备有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 116600 辽宁省大连市经*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 大功率晶体管 高电压 分离模具 本实用新型 半导体元器件 刀具固定板 框架固定板 成型工位 刀具导向 分离刀具 分离工位 定位针 半导体框架 成型刀具 加工效率 偏移报警 导正部 封装 成型 制作 加工 | ||
1.一种高电压大功率晶体管分离模具,其特征在于:
主要包括刀具固定板(1)、刀具导向板(2)和框架固定板(3),在所述刀具固定板(1)上设置有多组分离刀具(4)和成型刀具(5);
所述分离刀具(4)上设置有框架导正部(11)和框架切剪部(12);所述刀具导向板(2)上设置有2根成型定位针(6);所述框架固定板(3)上设置有分离工位(7)和成型工位(8);所述分离工位(7)上设置有框架偏移报警针(9);所述成型工位(8)上设置有产品定位针(10)。
2.根据权利要求1所述的高电压大功率晶体管分离模具,其特征在于:
分离所述高电压大功率晶体管分离模具工作:将带有高电压大功率的晶体管框架放置在框架固定板(3)的分离工位(7)上,由分离工位(7)上的框架偏移报警针(9)进行定位。
3.根据权利要求2所述的高电压大功率晶体管分离模具,其特征在于:
所述带有高电压大功率的晶体管框架没有放置正确,使所述框架偏移报警针(9)向下移动,触动所述分离模具外部的光电传感器进行报警,所述分离模具停止工作。
4.根据权利要求2所述的高电压大功率晶体管分离模具,其特征在于:
所述分离刀具(4)向下移动,对所述带有高电压大功率的晶体管框架特定的位置进行分离,所述分离刀具(4)前端的框架导正部(11)先进入到所述框架中,对框架进行导正;再由所述分离刀具(4)上的框架切剪部(12)对所述框架进行分离。
5.根据权利要求2所述的高电压大功率晶体管分离模具,其特征在于:
将分离后的所述框架移动到成型工位(8)上,由产品定位针(10)对晶体管产品进行精准定位,成型刀具(5)向下移动时,先由刀具导向板(2)上设置2根成型定位针(6),对所述框架进行固定并控制所述框架所需要的长度,再由成型刀具(5)进行剪切,成为完整独立的高电压大功率晶体管半导体元器件产品。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于大连泰一半导体设备有限公司,未经大连泰一半导体设备有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201721867303.9/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造