[实用新型]半导体元件和半导体装置有效

专利信息
申请号: 201721890667.9 申请日: 2017-12-29
公开(公告)号: CN207818562U 公开(公告)日: 2018-09-04
发明(设计)人: 鸟居克行 申请(专利权)人: 三垦电气株式会社
主分类号: H01L23/488 分类号: H01L23/488;H01L23/495
代理公司: 北京三友知识产权代理有限公司 11127 代理人: 李辉
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 半导体元件 半导体装置 栅极焊盘 接收控制信号 复杂度 两端部 申请 制造
【说明书】:

本申请实施例提供一种半导体元件和半导体装置,该半导体元件的表面呈四边形,该半导体元件具有用于接收控制信号的栅极焊盘,其中,栅极焊盘的数量为至少两个,其中,至少两个所述栅极焊盘被分别设置在所述四边形的一边的两端部。根据本申请,在制造半导体装置时,不需要准备栅极焊盘位置不同的半导体元件,从而降低了制造半导体装置的复杂度。

技术领域

本申请涉及半导体技术领域,尤其涉及一种半导体元件和半导体装置。

背景技术

在半导体技术中,半导体装置可以具有多个半导体元件,半导体元件的表面通常设置有电极焊盘(pad),电极焊盘可以与半导体元件的电极连接,并且,电极焊盘上可以焊接引线,从而将该半导体元件的电极与其它电子元件进行电连接。

专利文献1(日本特开2008-252115)公开了一种半导体装置。图1是专利文献1 公开的半导体装置的一个示意图,如图1所示,半导体装置50具有控制元件40和位于控制元件40左右两侧的半导体元件2和半导体元件4。半导体元件2和半导体元件4的表面都具有发射极焊盘E,栅极焊盘G,以及二极管焊盘24,并且,栅极焊盘 G通过引线连接到控制元件40。

如图1所示,在半导体元件2中,栅极焊盘G形成在半导体元件2的靠近控制元件40的一侧,并且位于半导体元件2的中部靠上侧的位置;在半导体元件4中,栅极焊盘G形成在半导体元件4的靠近控制元件40的一侧,并且位于半导体元件4 的中部靠上侧的位置。

应该注意,上面对技术背景的介绍只是为了方便对本实用新型的技术方案进行清楚、完整的说明,并方便本领域技术人员的理解而阐述的。不能仅仅因为这些方案在本实用新型的背景技术部分进行了阐述而认为上述技术方案为本领域技术人员所公知。

实用新型内容

本申请的发明人发现,在专利文献1中,半导体元件2和半导体元件4分别位于控制元件40的左右两侧的情况下,为了便于半导体元件2的栅极焊盘G、半导体元件4的栅极焊盘G与控制元件40连接,半导体元件2的栅极焊盘G需要设置在右侧,半导体元件4的栅极焊盘G需要设置在左侧,因此,在制造半导体装置50时,无论半导体元件的电学特性是否相同,都需要准备栅极焊盘位置不同的两种半导体元件,从而增加了制造半导体装置的复杂度。

本申请提供一种半导体元件和半导体装置,该半导体元件的表面呈四边形,至少两个栅极焊盘被分别设置在四边形的一边的两端部,由此,在半导体元件与控制元件的位置关系发生改变时,都能够使栅极焊盘方便地连接到控制元件,所以,在制造半导体装置时,不需要准备栅极焊盘位置不同的半导体元件,从而降低了制造半导体装置的复杂度。

根据本申请实施例的第一方面,提供一种半导体元件,其具有用于接收控制信号的栅极焊盘,所述半导体元件的表面呈四边形,所述栅极焊盘的数量为至少两个,其中,至少两个所述栅极焊盘被分别设置在所述四边形的一边的两端部。

根据本申请实施例的第二方面,其中,所述半导体元件还具有二极管焊盘,所述二极管焊盘被设置在所述四边形的与所述一边相对的另一边。

根据本申请实施例的第三方面,其中,所述二极管焊盘比所述栅极焊盘承受的电压高。

根据本申请实施例的第四方面,其中,所述半导体元件还具有发射极焊盘,所述发射极焊盘位于所述二极管焊盘和所述栅极焊盘之间,并且,在平行于所述一边的方向上,所述发射极焊盘位于所述两个所述栅极焊盘之间。

根据本申请实施例的第五方面,提供一种半导体装置,所述半导体装置具有如上述第一方面至第四方面中任一方面所述的半导体元件。

根据本申请实施例的第六方面,其中,所述半导体装置具有沿垂直于所述一边的方向排列的2个以上所述半导体元件,至少一个所述半导体元件的从所述二极管焊盘指向所述栅极焊盘的方向不同于其它所述半导体元件的从所述二极管焊盘指向所述栅极焊盘的方向。

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