[实用新型]等离子体处理装置有效
申请号: | 201721899629.X | 申请日: | 2017-12-29 |
公开(公告)号: | CN208045452U | 公开(公告)日: | 2018-11-02 |
发明(设计)人: | 崔正秀 | 申请(专利权)人: | INVENIA有限公司 |
主分类号: | H01L21/3065 | 分类号: | H01L21/3065;H01L21/67 |
代理公司: | 北京鸿元知识产权代理有限公司 11327 | 代理人: | 姜虎;陈英俊 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 喷淋头 等离子体处理装置 本实用新型 气体供给孔 高频电力 等离子体 流量调节部 挡板调节 高频电源 供给流量 气体供给 整个区域 不良率 腔室 天线 生产能力 外部 引入 配置 | ||
1.一种等离子体处理装置,其特征在于,包含:
腔室,内部形成有工序空间;
高频电源,用于供给高频电力;
天线,接收所述高频电力并在所述工序空间内产生等离子体;
多个喷淋头,包括用于将从外部引入的气体供给到所述工序空间的多个气体供给孔;及
流量调节部,分别配置在所述多个喷淋头内部并用于调节从所述多个气体供给孔供给的气体的流量。
2.根据权利要求1所述的等离子体处理装置,其特征在于,
气体从外部的气体供给部通过气体供给管被引入到所述多个喷淋头内,
所述流量调节部包括:
用于使从所述气体供给管被引入的气体扩散的第一腔部;及
以比所述第一腔部大的空间形成的第二腔部,
还包括配置在所述第一腔部和所述第二腔部之间并具有从所述第一腔部通往所述第二腔部的多个贯通孔的挡板。
3.根据权利要求2所述的等离子体处理装置,其特征在于,
所述多个喷淋头包含尺寸相互不同的第一喷淋头及第二喷淋头,
包含配置在所述第一喷淋头的第一挡板及配置在所述第二喷淋头的第二挡板,
分别形成于所述第一挡板及所述第二挡板的多个贯通孔的流路截面积的总和相互不同。
4.根据权利要求3所述的等离子体处理装置,其特征在于,
所述第一喷淋头的尺寸比所述第二喷淋头的尺寸小,
形成于第一喷淋头及所述第二喷淋头的多个气体供给孔各自以相同的流路截面积构成,
所述第一挡板的所述多个流路截面积的总和比所述第二挡板的所述多个流路截面积的总和小。
5.根据权利要求3所述的等离子体处理装置,其特征在于,
所述第一喷淋头的尺寸比所述第二喷淋头的尺寸小,
所述第一挡板其流体阻力比所述第二挡板的流体阻力大。
6.根据权利要求4所述的等离子体处理装置,其特征在于,
形成于所述第二挡板的多个贯通孔比形成于所述第一挡板的多个贯通孔直径小或者数量少。
7.根据权利要求4所述的等离子体处理装置,其特征在于,
所述工序空间的水平截面构成为矩形形状,
并且所述第一喷淋头及所述第二喷淋头包括沿长度方向相隔而配置的一对第一喷淋头及沿宽度方向相隔而配置的一对第二喷淋头,以便分割所述水平截面并向各个区域喷射气体。
8.根据权利要求7所述的等离子体处理装置,其特征在于,
所述各喷淋头的中心部分连接有所述气体供给管以供给气体,
所述第一腔部形成为从所述中心部分向所述喷淋头的外侧延伸以使气体被均匀地供给到所述各喷淋头的各部分。
9.根据权利要求7所述的等离子体处理装置,其特征在于,
形成于所述挡板的贯通孔以比所述气体供给孔更大的直径构成,以便减小所述第一腔部和所述第二腔部的压力偏差并减小从所述多个气体供给孔流出的气体的流量偏差。
10.根据权利要求7所述的等离子体处理装置,其特征在于,
所述第二腔部形成为具有比所述第一腔部的水平方向面积更大的面积,以便减小从所述多个气体供给孔流出的气体的流量偏差。
11.根据权利要求2所述的等离子体处理装置,其特征在于,
所述挡板包括用于改变流路截面积的闸门。
12.根据权利要求3所述的等离子体处理装置,其特征在于,
所述喷淋头被配置在所述天线的下部并由导电性材料构成以执行金属窗的功能。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于INVENIA有限公司,未经INVENIA有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201721899629.X/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种无极紫外灯和微波无极紫外光解设备
- 下一篇:晶闸管模块电极折弯机
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造