[实用新型]等离子体处理装置

说明书

本实用新型涉及一种等离子体处理装置，该装置包括：腔室，内部形成有工序空间；高频电源，用于供给高频电力；天线，构成为接收高频电力并在工序空间内产生等离子体；多个喷淋头，包括用于将从外部引入的气体供给到工序空间的多个气体供给孔；及流量调节部，构成为分别配置在多个喷淋头内部并用于调节从多个气体供给孔供给的气体的流量。根据本实用新型的包含喷淋头的等离子体处理装置可以通过挡板调节从尺寸不同的喷淋头供给的气体的流量，从而可以与喷淋头尺寸无关地向工序空间的整个区域供给流量均匀的气体，具有减少不良率、提高生产能力的效果。

技术领域

本实用新型涉及一种包含喷淋头的等离子体处理装置，更具体地说，涉及包含在同时使用多种尺寸的喷淋头时，可调节流量的喷淋头的等离子体处理装置。

背景技术

等离子体处理装置通常意味着以等离子体为基础来处理基板的装置。等离子体处理装置以沉积、蚀刻或离子植入等多种方式实施对基板的处理。特别是，最近对于可获得高密度等离子体的感应耦合等离子体处理装置的研究与开发进行地很活跃。

通常喷淋头配置在作为蚀刻工序、沉积工序等的统称的基板处理装置中。基板处理装置可以包含工序腔室、向工序腔室的内部喷射工序气体的喷淋头及与喷淋头相对地安置基板的基座。这样的基板处理装置通过喷淋头向工序腔室内部扩散工序气体，并对支撑于基座的上部的基板实施预定的工序。另一方面，关于喷淋头的现有技术文献已于2011年7月8日在韩国专利公开号第10-2011-0086286号公开。上述公开发明是包含工序腔室、喷淋头、基座及加热器的发明。这样的公开发明是在工序腔室内部，用加热器加热安置于基座上的基板并扩散工序气体的发明。但是这样的现有技术在处理大面积基板时，在喷淋头被分割的情况下，存在被供给到各喷淋头的流量不均匀的问题。

现有技术文献

韩国专利公开号第10-2011-0086286号

实用新型内容

所要解决的技术问题

本实用新型的目的在于，提供一种包含喷淋头的等离子体处理装置，以便解决在以往的包含喷淋头的等离子体处理装置中，使用多个喷淋头时存在的气体供给流量不均匀的问题。

技术方案

作为上述技术问题的解决方法，可以提供一种等离子体处理装置，该装置包括：腔室，内部形成有工序空间；高频电源，用于供给高频电力；天线，接收高频电力并在工序空间内产生等离子体；多个喷淋头，包括用于将从外部引入的气体供给到工序空间的多个气体供给孔；及流量调节部，分别配置在多个喷淋头内部并用于调节从多个气体供给孔供给的气体的流量。

在此，气体从外部的气体供给部通过气体供给管被引入到多个喷淋头内，流量调节部可以包括：用于使从气体供给管被引入的气体扩散的第一腔部；及以比第一腔部大的空间形成的第二腔部，还包括配置在第一腔部和第二腔部之间并具有从第一腔部通往第二腔部的多个贯通孔的挡板。

并且，多个喷淋头可以包含尺寸相互不同的第一喷淋头及第二喷淋头，并包含配置在第一喷淋头的第一挡板及配置在第二喷淋头的第二挡板，且分别形成于第一挡板及第二挡板的多个贯通孔的流路截面积的总和相互不同。

另外，第一喷淋头的尺寸可以比第二喷淋头的尺寸小，形成于第一喷淋头及第二喷淋头的多个气体供给孔各自以相同的流路截面积构成，第一挡板的多个流路截面积的总和比第二挡板的多个流路截面积的总和小。

另一方面，第一喷淋头的尺寸可以比第二喷淋头的尺寸小，第一挡板其流体阻力比第二挡板的流体阻力大。

并且，形成于第二挡板的多个贯通孔可以比形成于第一挡板的多个贯通孔直径小或者数量少。

另一方面，工序空间的水平截面可以构成为矩形形状，并且第一喷淋头及第二喷淋头包括沿长度方向相隔而配置的一对第一喷淋头及沿宽度方向相隔而配置的一对第二喷淋头，以便分割水平截面并向各个区域喷射气体。