[发明专利]阵列基板、显示装置和制造阵列基板的方法

权利要求书

1.一种阵列基板，其具有多个第一底栅型薄膜晶体管和多个第二底栅型薄膜晶体管，所述多个第一底栅型薄膜晶体管中的每一个包括金属氧化物有源层，所述多个第二底栅型薄膜晶体管中的每一个包括硅有源层。

2.根据权利要求1所述的阵列基板，包括：

底部衬底；

栅极层，其位于底部衬底上，并且包括分别用于所述多个第一底栅型薄膜晶体管的多个第一栅极以及分别用于所述多个第二底栅型薄膜晶体管的多个第二栅极；

栅绝缘层，其位于栅极层的远离底部衬底的一侧；

金属氧化物层，其包括分别用于所述多个第一底栅型薄膜晶体管的多个金属氧化物有源层，所述多个金属氧化物有源层中的每一个位于栅绝缘层的远离所述多个第一栅极之一的一侧；以及

多晶硅层，其包括分别用于所述多个第二底栅型薄膜晶体管的多个多晶硅有源层，所述多个多晶硅有源层中的每一个位于栅绝缘层的远离所述多个第二栅极之一的一侧。

3.根据权利要求2所述的阵列基板，还包括：

第一绝缘层，其位于多晶硅层的远离栅绝缘层的一侧；以及

第二绝缘层，其位于金属氧化物层的远离第一绝缘层的一侧；

其中，第一绝缘层位于多晶硅层与金属氧化物层之间。

4.根据权利要求3所述的阵列基板，还包括源漏极层，所述源漏极层包括多个第一源极、多个第一漏极、多个第二源极和多个第二漏极；

所述多个金属氧化物有源层中的每一个通过延伸通过第二绝缘层的过孔电连接至所述多个第一源极之一和所述多个第一漏极之一；并且

所述多个多晶硅有源层中的每一个通过延伸通过第一绝缘层和第二绝缘层的过孔电连接至所述多个第二源极之一和所述多个第二漏极之一。

5.根据权利要求4所述的阵列基板，还包括：位于源漏极层的远离第二绝缘层的一侧的钝化层；

位于钝化层的远离源漏极层的一侧的第一电极层；以及

位于第一电极层的远离底部衬底的一侧的第二电极层；

其中，第一电极层和第二电极层是选自像素电极层和公共电极层的两个不同的层。

6.根据权利要求2所述的阵列基板，还包括第一电极层和第二电极层，第一电极层和第二电极层是选自像素电极层和公共电极层的两个不同的层；

其中，第一电极层与栅极层位于同层；并且

栅绝缘层位于栅极层和第一电极层的远离底部衬底的一侧。

7.根据权利要求2所述的阵列基板，还包括：源漏极层，其位于金属氧化物层和多晶硅层的远离栅绝缘层的一侧；

源漏极层包括多个第一源极、多个第一漏极、多个第二源极和多个第二漏极；

所述多个金属氧化物有源层中的每一个电连接至所述多个第一源极之一和所述多个第一漏极之一；并且

所述多个多晶硅有源层中的每一个电连接至所述多个第二源极之一和所述多个第二漏极之一。

8.根据权利要求7所述的阵列基板，其中，所述多个第一底栅型薄膜晶体管为背沟道蚀刻型薄膜晶体管。

9.根据权利要求7所述的阵列基板，还包括：位于多晶硅层的远离栅绝缘层的一侧的第一绝缘层；

其中，第一绝缘层位于多晶硅层与金属氧化物层之间；并且

所述多个多晶硅有源层中的每一个通过延伸通过第一绝缘层的过孔电连接至所述多个第二源极之一和所述多个第二漏极之一。

10.根据权利要求7所述的阵列基板，还包括：

位于源漏极层的远离栅绝缘层的一侧的钝化层；

其中，第二电极层位于钝化层的远离源漏极层的一侧。

11.根据权利要求1所述的阵列基板，其中，所述多个第一底栅型薄膜晶体管位于显示区中，所述多个第二底栅型薄膜晶体管位于外围区中。