[发明专利]阵列基板、显示装置和制造阵列基板的方法

说明书

本申请公开了一种阵列基板、显示装置和制造阵列基板的方法。该阵列基板具有多个第一底栅型薄膜晶体管和多个第二底栅型薄膜晶体管，多个第一底栅型薄膜晶体管中的每一个包括金属氧化物有源层，多个第二底栅型薄膜晶体管中的每一个包括硅有源层。

技术领域

本发明涉及显示技术，更具体地，涉及阵列基板、显示装置和制造阵列基板的方法。

背景技术

阵列基板通常包括在其显示区中的多个子像素，所述多个子像素中的每一个由薄膜晶体管控制用于图像显示。阵列基板的各种驱动电路通常设置在阵列基板的外围区中。这些驱动电路也包括其操作所需的薄膜晶体管。

发明内容

一方面，本发明提供了一种阵列基板，其具有多个第一底栅型薄膜晶体管和多个第二底栅型薄膜晶体管，所述多个第一底栅型薄膜晶体管中的每一个包括金属氧化物有源层，所述多个第二底栅型薄膜晶体管中的每一个包括硅有源层。

可选地，阵列基板包括：底部衬底；栅极层，其位于底部衬底上，并且包括分别用于所述多个第一底栅型薄膜晶体管的多个第一栅极以及分别用于所述多个第二底栅型薄膜晶体管的多个第二栅极；栅绝缘层，其位于栅极层的远离底部衬底的一侧；金属氧化物层，其包括分别用于所述多个第一底栅型薄膜晶体管的多个金属氧化物有源层，所述多个金属氧化物有源层中的每一个位于栅绝缘层的远离所述多个第一栅极之一的一侧；以及多晶硅层，其包括分别用于所述多个第二底栅型薄膜晶体管的多个多晶硅有源层，所述多个多晶硅有源层中的每一个位于栅绝缘层的远离所述多个第二栅极之一的一侧。

可选地，阵列基板还包括：位于多晶硅层的远离栅绝缘层的一侧的第一绝缘层；以及位于金属氧化物层的远离第一绝缘层的一侧的第二绝缘层；其中，第一绝缘层位于多晶硅层与金属氧化物层之间。

可选地，阵列基板还包括源漏极层，所述源漏极层包括多个第一源极、多个第一漏极、多个第二源极和多个第二漏极；所述多个金属氧化物有源层中的每一个通过延伸通过第二绝缘层的过孔电连接至所述多个第一源极之一和所述多个第一漏极之一；并且所述多个多晶硅有源层中的每一个通过延伸通过第一绝缘层和第二绝缘层的过孔电连接至所述多个第二源极之一和所述多个第二漏极之一。

可选地，阵列基板还包括：位于源漏极层的远离第二绝缘层的一侧的钝化层；位于钝化层的远离源漏极层的一侧的第一电极层；以及位于第一电极层的远离底部衬底的一侧的第二电极层；其中，第一电极层和第二电极层是选自像素电极层和公共电极层的两个不同的层。

可选地，阵列基板还包括第一电极层和第二电极层，第一电极层和第二电极层是选自像素电极层和公共电极层的两个不同的层；其中，第一电极层与栅极层位于同层；并且栅绝缘层位于栅极层和第一电极层的远离底部衬底的一侧。

可选地，阵列基板还包括：位于金属氧化物层和多晶硅层的远离栅绝缘层的一侧的源漏极层；源漏极层包括多个第一源极、多个第一漏极、多个第二源极和多个第二漏极；所述多个金属氧化物有源层中的每一个电连接至所述多个第一源极之一和所述多个第一漏极之一；并且所述多个多晶硅有源层中的每一个电连接至所述多个第二源极之一和所述多个第二漏极之一。

可选地，所述多个第一底栅型薄膜晶体管为背沟道蚀刻型薄膜晶体管。

可选地，阵列基板还包括：位于多晶硅层的远离栅绝缘层的一侧的第一绝缘层；其中，第一绝缘层位于多晶硅层与金属氧化物层之间；并且所述多个多晶硅有源层中的每一个通过延伸通过第一绝缘层的过孔电连接至所述多个第二源极之一和所述多个第二漏极之一。

可选地，阵列基板还包括：位于源漏极层的远离栅绝缘层的一侧的钝化层；其中，第二电极层位于钝化层的远离源漏极层的一侧。

可选地，所述多个第一底栅型薄膜晶体管位于显示区中，所述多个第二底栅型薄膜晶体管位于外围区中。