[发明专利]半导体晶片加工用胶带和半导体晶片的加工方法有效
| 申请号： | 201780001306.0 | 申请日： | 2017-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN107960131B | 公开（公告）日： | 2022-02-25 |
| 发明（设计）人： | 大仓雅人 | 申请（专利权）人： | 古河电气工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304;C09J7/20;C09J201/02;H01L21/301;H01L21/683 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 庞东成;褚瑶杨 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 晶片 工用 胶带 加工 方法 | ||
1.一种半导体晶片加工用胶带，其为在基材膜的至少一个面具有粘合剂层的半导体晶片加工用胶带，其特征在于，该粘合剂层的粘合剂为辐射固化型粘合剂，至少具有侧链具有烯键式不饱和基团的基础树脂或分子中具有至少2个烯键式不饱和基团的氨基甲酸酯丙烯酸酯低聚物，所述烯键式不饱和基团为辐射聚合性碳-碳双键且为烯键式双键，
所述低聚物至少为分子内具有2个烯键式不饱和基团的低聚物与分子内具有3个以上烯键式不饱和基团的低聚物的混合物，
所述侧链具有烯键式不饱和基团的基础树脂的质量平均分子量为20万～100万，玻璃化转变温度为-70℃～-10℃，酸值为1～20mgKOH/g，羟值为10～80mgKOH/g，
该粘合剂具有0.2mmol/g～2.0mmol/g的烯键式不饱和基团，
并且，所述半导体晶片加工用胶带贴合于表面凹凸为10μm以上的半导体晶片而使用。
2.如权利要求1所述的半导体晶片加工用胶带，其特征在于，至少一种所述低聚物的质量平均分子量为1,100～20,000。
3.如权利要求1或2所述的半导体晶片加工用胶带，其特征在于，至少一种所述低聚物的质量平均分子量为1,400～20,000。
4.如权利要求1或2所述的半导体晶片加工用胶带，其特征在于，所述粘合剂具有0.72mmol/g～2.0mmol/g的所述烯键式不饱和基团。
5.如权利要求1或2所述的半导体晶片加工用胶带，其特征在于，所述粘合剂含有多元异氰酸酯化合物。
6.如权利要求1或2所述的半导体晶片加工用胶带，其特征在于，对于SUS板的紫外线固化后的粘合力为0.3N/25mm～3.0N/25mm，并且固化收缩应力为300gf以下。
7.一种半导体晶片的加工方法，其特征在于，该方法包括下述工序：将权利要求1～6中任一项所述的半导体晶片加工用胶带贴合至表面凹凸为10μm以上的半导体晶片面后，照射紫外线，将所述半导体晶片加工用胶带剥离。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
