[发明专利]半导体晶片加工用胶带和半导体晶片的加工方法

说明书

一种半导体晶片加工用胶带、半导体晶片加工用胶带的制造方法和半导体晶片的加工方法，所述半导体晶片加工用胶带在基材膜的至少一个面具有粘合剂层，该半导体晶片加工用胶带的特征在于，该粘合剂层的粘合剂为辐射固化型粘合剂，至少具有选自侧链具有烯键式不饱和基团(辐射聚合性碳‑碳双键且为烯键式双键)的基础树脂、不包含源自脂环式(甲基)丙烯酸酯的单体单元的丙烯酸系压敏性基础树脂和分子中具有至少2个烯键式不饱和基团(辐射聚合性碳‑碳双键且为烯键式双键)的氨基甲酸酯丙烯酸酯低聚物中的树脂或者低聚物，并且该粘合剂具有0.2mmol/g～2.0mmol/g的烯键式不饱和基团。

技术领域

本发明涉及半导体晶片加工用胶带和半导体晶片的加工方法。

背景技术

半导体封装件通过下述方法制造得到：在将高纯度硅单晶等切片而制成半导体晶片后，通过离子注入、蚀刻等在半导体晶片表面形成集成电路，由此制造半导体封装件。通过对形成有集成电路的半导体晶片的背面进行磨削、研磨等，而使半导体晶片加工成所期望的厚度。此时，为了保护形成在半导体晶片表面的集成电路，使用半导体晶片表面保护用胶带(下文中也简称为“表面保护带”)。

经背面磨削的半导体晶片在背面磨削结束后收纳在半导体晶片盒中，搬运至切割工序，加工成半导体芯片。

以往，需要通过背面磨削等使半导体晶片的厚度为200μm～400μm左右。但是，随着近年来高密度安装技术的进步，需要使半导体芯片小型化，与之相伴半导体晶片的薄膜化也不断发展。根据半导体芯片的种类的不同，需要使半导体晶片薄至100μm左右。另一方面，为了增加可通过一次性加工所制造的半导体芯片的数量，倾向于使原本的半导体晶片直径变大。此前直径为5英寸或6英寸的半导体晶片为主流，与此相对，近年来将直径8英寸～12英寸的半导体晶片加工成半导体芯片成为了主流。

半导体晶片的薄膜化和大型化的趋势在存在有NAND型或NOR型的闪存领域或作为易失性存储器的DRAM等领域中特别显著。例如，将直径12英寸的半导体晶片磨削至厚度150μm以下的情况也并不罕见。

除此以外，特别是近年来伴随着智能型手机的普及、便携电话的性能提高及音乐播放器的小型化且性能提高等，对于考虑到抗冲击性等使用有带有电极的半导体晶片的倒装芯片安装中使用的晶片，对其薄膜化的要求也逐步增大。另外，对于带凸块的半导体晶片也必须对半导体晶片部分进行100μm以下的薄膜磨削。对于用于进行倒装芯片连接的凸块来说，为了提高传送速度而进行高密度化，凸块的高度(从半导体晶片表面突出的高度)变低，伴随这种情况，凸块间距离变短。另外，近年来对于DRAM也开始实施倒装芯片连接，因而加速了半导体晶片的薄膜化。

针对近年来的电子设备的小型化、高密度化，作为能以最小的面积安装半导体元件的方法，倒装芯片安装受到注目。用于该倒装芯片安装的半导体元件的电极上形成有凸块，将凸块与电路基板上的配线进行电接合。作为这些凸块的组成，主要使用焊料或金。该焊料凸块或金凸块通过蒸镀或镀敷形成于与芯片的内部配线连接的露出的铝端子上等。

但是，带凸块的半导体晶片在其表面具有大的凹凸，因而难以进行薄膜加工，若使用通常的胶带进行背面磨削，则会发生半导体晶片破裂或引起半导体晶片的厚度精度变差。因此，在带凸块的半导体晶片的磨削中，使用特别设计而成的表面保护带进行加工(例如，参见专利文献1)。

但是，这些表面保护带充分吸收凸块而确保了磨削性，因此非常难以兼具剥离性。迄今为止经倒装芯片安装的芯片的最终厚度具有为200μm以上这种程度的厚度，保证了刚性，因而勉强能够剥离。但是，最近半导体晶片最终厚度变得更薄，凸块密度也增高，所以会引起表面保护带无法容易地剥离的问题。另外，相反地，若确保剥离性则密合变得不充分，背面磨削时会引起磨削水的渗入或残胶。