[发明专利]陶瓷基体及其制造方法

权利要求书

1.一种陶瓷基体，结晶相以Al₂O₃以及被Y₂O₃部分稳定化的ZrO₂为主晶相，且含有MgAl₂O₄和BaAl₂Si₂O₈，

X射线衍射图案中，相对于ZrO₂的单斜晶相和正方晶相各自的峰强度之和，所述单斜晶相峰强度的比例低于0.1％。

2.根据权利要求1所述的陶瓷基体，在150～200℃、100小时的条件下热老化后，所述单斜晶相峰强度的比例低于3.0％。

3.根据权利要求1或2所述的陶瓷基体，弯曲强度为650MPa以上且杨氏模量为300GPa以下。

4.根据权利要求1或2所述的陶瓷基体，ZrO₂的晶体粒径为0.05μm以上1.0μm以下。

5.根据权利要求1或2所述的陶瓷基体，

含有以Al₂O₃换算计70.0～90.0质量％的Al、以ZrO₂换算计10.0～30.0质量％的Zr，

在将Al₂O₃和ZrO₂的合计设为100质量％时，含有：以Y₂O₃换算计0.2～2.5质量％的Y、以MnO换算计2.0～7.0质量％的Mn、以SiO₂换算计2.0～7.0质量％的Si、以BaO换算计0.5～2.0质量％的Ba、以MgO换算计0.5～2.0质量％的Mg。

6.一种陶瓷基体的制造方法，具备：

成形体制作工序，制作下述成形体，其含有以Al₂O₃换算计70.0～90.0质量％的Al、以ZrO₂换算计10.0～30.0质量％的Zr，在将Al₂O₃和ZrO₂的合计设为100质量％时，含有以Y₂O₃换算计0.2～2.5质量％的Y、以MnO换算计2.0～7.0质量％的Mn、以SiO₂换算计2.0～7.0质量％的Si、以BaO换算计0.5～2.0质量％的Ba、以MgO换算计0.5～2.0质量％的Mg；以及

烧成工序，将所述成形体在1250～1500℃烧成。

7.根据权利要求6所述的陶瓷基体的制造方法，

在所述成形体制作工序后，进一步具备在所述成形体上形成含有金属的导体层的工序，

在所述烧成工序中，将形成有所述导体层的成形体烧成。

8.根据权利要求6或7所述的陶瓷基体的制造方法，所述烧成工序在氢和氮的合成气体中进行，所述氢和氮的合成气体含有5％以上的氢。