[发明专利]陶瓷基体及其制造方法

说明书

一种陶瓷基体，结晶相以Al₂O₃和ZrO₂为主晶相，含有MgAl₂O₄和BaAl₂Si₂O₈。X射线衍射图案中，相对于ZrO₂的单斜晶相和正方晶相各自的峰强度之和，前述单斜晶相峰强度的比例低于0.1％。

技术领域

本发明涉及陶瓷基体及其制造方法。

背景技术

以往，已知以氧化铝(Al₂O₃)和二氧化锆(ZrO₂)为主要成分的陶瓷基体。

专利文献1中提出了下述方法：通过将含有作为主要成分的氧化铝、作为次要成分的部分稳定化二氧化锆、以及氧化镁的成形体烧成来形成陶瓷基体。根据该方法，能够使陶瓷基体中的部分稳定化二氧化锆的80％以上为正方晶相，因此认为能够提高陶瓷基体的弯曲强度。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本专利第4717960号

发明内容

发明所要解决的课题

这里，为了使使用了陶瓷基体的陶瓷封装体小型化，有想要使陶瓷基体的弯曲强度更加提高这样的要求。可是，专利文献1记载的方法中，由于难以进一步提高部分稳定化二氧化锆的正方晶相的比例，因此，在提高弯曲强度方面存在极限。

本发明是鉴于上述情况做出的，目的在于提供能够提高弯曲强度的陶瓷基体及其制造方法。

用于解决课题的方法

本发明涉及的陶瓷基体中，结晶相以Al₂O₃以及被Y₂O₃部分稳定化的ZrO₂为主晶相，包含MgAl₂O₄和BaAl₂Si₂O₈。X射线衍射图案中，相对于ZrO₂的单斜晶相和正方晶相各自的峰强度之和，前述单斜晶相的峰强度的比例低于0.1％。

发明效果

根据本发明，可以提供能够提高弯曲强度的陶瓷基体及其制造方法。

附图说明

图1为表示使用了本实施方式涉及的陶瓷基体的第1构成例(第1封装体)的剖面图。

图2为将本实施方式涉及的陶瓷基体的制造方法与第1封装体的制造方法一起显示的工序框图。

图3为表示使用了本实施方式涉及的陶瓷基体的第2构成例(第2封装体)的剖面图。

图4为将本实施方式涉及的陶瓷基体的制造方法与第2封装的制造方法一起显示的工序框图。

图5为实施例9涉及的陶瓷基体的X射线衍射图案。

图6为实施例10涉及的陶瓷基体的X射线衍射图案。

具体实施方式

以下，关于本发明涉及的陶瓷基体及其制造方法的实施方式例子，参照图1～图4进行说明。予以说明的是，本说明书中，表示数值范围的“～”是作为包含记载于其前后的数值作为下限值和上限值的意义而使用的。

(陶瓷基体的特性)