[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，具备：

半导体基板；

第一导电型的漂移层，其形成于所述半导体基板；

第二导电型的基区，其在所述半导体基板，形成于所述漂移层的上方；以及

第一导电型的积累层，其设置于所述漂移层与所述基区之间，且杂质浓度比所述漂移层的杂质浓度高，

所述积累层具有第一积累区和第二积累区，所述第二积累区在俯视时所述积累层与不同区域的边界侧，形成得比所述第一积累区浅，

所述半导体装置还具备形成于所述半导体基板的晶体管部，

所述晶体管部具有：

多个沟槽部，其形成于所述半导体基板的正面，且沿预先确定的方向排列；和

第一导电型的发射区，其在所述半导体基板的正面，形成在所述多个沟槽部之间，且杂质浓度比所述漂移层的杂质浓度高，

所述第一积累区以及所述第二积累区形成于所述多个沟槽部之间，

所述晶体管部在所述晶体管部的排列方向的一端，具有在所述多个沟槽部之间未形成有所述发射区的边界区，

所述第二积累区形成于所述边界区的所述多个沟槽部之间。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

所述晶体管部在所述晶体管部的排列方向的一端和与所述一端相反侧的另一端这两端，具有在所述多个沟槽部之间未形成有所述发射区的边界区。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

所述边界区的所述第二积累区的宽度等于由所述多个沟槽部围起的台面的宽度。

4.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，

所述边界区的所述第二积累区的宽度等于由所述多个沟槽部围起的台面的宽度。

5.根据权利要求1～4中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

所述半导体基板在所述边界区的所述半导体基板的正面，具有杂质浓度比所述基区的杂质浓度高的第二导电型的接触区。

6.根据权利要求1～4中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

所述漂移层在所述边界区与所述基区连接。

7.根据权利要求1～4中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

在与所述半导体基板的正面平行的方向，所述第二积累区的深度逐渐变化。

8.根据权利要求1～4中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

所述半导体装置还具备形成于所述半导体基板的二极管部，

所述边界区形成于所述晶体管部的与所述二极管部的边界侧。

9.根据权利要求1～4中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

所述第二积累区包括至少形成于深度与所述基区的深度方向的中心位置相同的区域。

10.根据权利要求1～4中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

所述第二积累区的下端的杂质浓度比所述第一积累区的下端的杂质浓度低。

11.根据权利要求1～4中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

所述半导体装置在俯视时所述晶体管部所延伸的延伸方向侧的所述半导体基板的正面，还具备第二导电型的阱区，

所述第二积累区俯视时形成于所述积累层的与所述阱区的边界侧。

12.根据权利要求11所述的半导体装置，其特征在于，所述基区在所述多个沟槽部的延伸方向设置于所述第二积累区与所述阱区之间。