[发明专利]半导体装置

说明书

提供一种半导体装置，具备：半导体基板；第一导电型的漂移层，其形成于半导体基板；第二导电型的基区，其在半导体基板，形成于漂移层的上方；以及第一导电型的积累层，其设置于漂移层与基区之间，且浓度比漂移层高浓度，积累层具有第一积累区和第二积累区，所述第二积累区在俯视时积累层与不同区域的边界侧，形成得比第一积累区浅。

技术领域

本发明涉及半导体装置。

背景技术

以往，已知在具有沟槽部的半导体装置中，在沟槽部之间形成高浓度的积累层的方案(例如，参照专利文献1)。另外，在利用离子注入形成积累层的情况下，为了防止沟道效应，以预定的角度进行离子注入。

专利文献1：日本特开2012-43890号公报

发明内容

技术问题

然而，在以往的半导体装置中，由于以预定的角度进行离子注入，所以离子在离子注入用的抗蚀剂附近减速。在离子减速的区域中，有时积累层形成得浅而栅极阈值降低。

技术方案

在本发明的第一方式中，提供一种半导体装置，具备：半导体基板；第一导电型的漂移层，其形成于半导体基板；第二导电型的基区，其在半导体基板形成于漂移层的上方；以及第一导电型的积累层，其设置于漂移层与基区之间，且浓度比漂移层的浓度高，积累层具有第一积累区和第二积累区，所述第二积累区在俯视时积累层与不同区域的边界侧，形成得比第一积累区浅。

半导体装置可以具备形成于半导体基板的晶体管部。晶体管部可以具有：多个沟槽部，其形成于半导体基板的正面，且沿预先确定的方向排列；和第一导电型的发射区，其在半导体基板的正面，形成在多个沟槽部之间，且浓度比漂移层的浓度高。第一积累区以及第二积累区可以形成于多个沟槽部之间。

晶体管部可以在晶体管部的排列方向的一端，具有在多个沟槽部之间未形成有发射区的边界区。

晶体管部可以在晶体管部的排列方向的一端和与该一端相反侧的另一端这两端，具有在多个沟槽部之间未形成有发射区的边界区。

边界区的第二积累区的宽度可以等于由多个沟槽部围起的台面的宽度。

半导体基板在边界区的半导体基板的正面，具有浓度比基区的浓度高的第二导电型的接触区。

漂移层可以在边界区与基区连接。

在与半导体基板的正面平行的方向，第二积累区的深度可以逐渐变化。

半导体装置可以还具备形成于半导体基板的二极管部。边界区可以形成于晶体管部的与二极管部的边界侧。

第二积累区可以包括至少形成于深度与基区的深度方向的中心位置相同的区域。

第二积累区的下端的杂质浓度可以比第一积累区的下端的杂质浓度低。

半导体装置可以在俯视时晶体管部所延伸的延伸方向侧的半导体基板的正面，还具备第二导电型的阱区。第二积累区可以俯视时形成于积累层的与阱区的边界侧。

在本发明的第二方式，提供一种半导体装置，具备：半导体基板；第一导电型的漂移层，其形成于半导体基板；第二导电型的基区，其在半导体基板，形成于漂移层的上方；第一导电型的积累层，其设置于漂移层与基区之间，且浓度比漂移层的浓度高；多个沟槽部，其形成于半导体基板的正面，且沿预先确定的排列方向排列，积累层在多个沟槽部的排列方向的一端具有第一积累区和第二积累区，所述第二积累区在俯视时积累层与不同区域的边界侧，形成得比第一积累区浅。

应予说明，上述的发明内容没有列举出本发明的全部特征。另外，这些特征组的子组合也可成为发明。

附图说明

图1是表示实施例1的半导体装置100的一个例子的俯视图。