[发明专利]含有分开形成的漏极侧选择晶体管的三维存储器器件及其制造方法

权利要求书

1.一种三维存储器器件，包括：

位于衬底之上的绝缘层和电气导电层的交替的堆叠体；

至少一个漏极选择级导电层，其位于所述交替的堆叠体之上，其中所述至少一个漏极选择级导电层中的每一个包括电气导电线结构，所述电气导电线结构沿着第一水平方向横向地延伸并且沿着第二水平方向相互之间横向地间隔开；

存储器堆叠体结构，其延伸穿过所述交替的堆叠体，其中所述存储器堆叠体结构中的每一个包括存储器膜和接触所述存储器膜的内侧壁的存储器级沟道部分；

在漏极选择级开口中的漏极选择级沟道部分，所述漏极选择级沟道部分垂直地延伸穿过所述至少一个漏极选择级导电层，接触相应的存储器级沟道部分，并且由在所述至少一个漏极选择级导电层的每个级处的相应的漏极选择级栅极电介质和相应的一个所述电气导电线结构横向地围绕，所述相应的漏极选择级栅极电介质在所述漏极选择级开口中的每一个的侧壁处；

其中：

所述存储器堆叠体结构横跨包含相同漏极选择级的两个或多个电气导电线结构的区域采用沿着所述第二水平方向的第一行到行的节距、以沿着所述第一水平方向延伸的行的形式布置；

对于每个电气导电线结构，漏极选择级沟道部分的相应的阵列延伸穿过所述电气导电线结构，并且相应的阵列内的漏极选择级沟道部分采用沿着所述第二水平方向的第二行到行的节距、以沿着所述第一水平方向延伸的行的形式布置为至少四行；并且

所述第二行到行的节距小于所述第一行到行的节距；并且

其中：

所述相应的阵列内的所述漏极选择级沟道部分以穿过每个电气导电线结构的四个行的形式布置；以及

所述电气导电线结构中的每一个包括侧壁的对，所述侧壁的对基本沿着所述第一水平方向延伸并且包含相互之间邻接的垂直凸形的表面部分。

2.如权利要求1所述的三维存储器器件，还包括上覆于所述交替的堆叠体的附加的绝缘层，其中：

所述至少一个漏极选择级导电层中的每一个位于所述附加的绝缘层的相应的对之间；并且

所述绝缘层和所述附加的绝缘层包括第一电气绝缘材料。

3.如权利要求2所述的三维存储器器件，还包括基本沿着所述第一水平方向延伸的电气绝缘线结构，并且所述电气绝缘线结构包括位于在相同级处的每个横向邻近的所述电气导电线结构的对之间的第二电气绝缘材料。

4.如权利要求3所述的三维存储器器件，其中所述电气绝缘线结构中的每一个包括侧壁的对，所述电气绝缘线结构中的每一个包括的所述侧壁的对基本沿着所述第一水平方向延伸，并且包含相互之间邻接的垂直凹形的表面部分。

5.如权利要求1所述的三维存储器器件，其中：

所述存储器堆叠体结构布置为第一周期性六角形阵列；

漏极选择级沟道部分的相应的阵列是相应的第二周期性六角形阵列；并且

其中所述第一周期性六角形阵列和每个第二周期六角形阵列沿着所述第一水平方向具有相同的周期性，并且沿着所述第二水平方向具有不同的周期性。

6.如权利要求1所述的三维存储器器件，还包括背侧沟槽的对，所述背侧沟槽的对垂直地延伸穿过所述交替的堆叠体和所述至少一个漏极选择级导电层，并且沿着所述第一水平方向横向地延伸，其中：

所述交替的堆叠体内的所述电气导电层中的每一个沿着所述第二水平方向在所述背侧沟槽的对之间连续横向地延伸；并且

所述电气导电线结构中的每一个位于所述背侧沟槽的对之间。

7.如权利要求6所述的三维存储器器件，其中所述背侧沟槽的对包括：

下部的背侧沟槽，其垂直地延伸穿过所述交替的堆叠体，并且包含含有金属导电材料的第一导电通孔结构；以及

上部的背侧沟槽，其垂直地延伸穿过所述至少一个漏极选择级导电层，并且包含含有与所述漏极选择级沟道部分相同的掺杂的半导体材料的第二导电通孔结构。