[发明专利]绝缘栅型半导体装置以及绝缘栅型半导体装置的制造方法

权利要求书

1.一种绝缘栅型半导体装置，其特征在于，具备：

绝缘栅型半导体元件，其包括具备第一主电极区和第二主电极区的半导体芯片；

绝缘电路基板，其搭载所述半导体芯片，在该绝缘电路基板的周边具有第一外部端子和第二外部端子；

主电流路径构件，其在所述绝缘电路基板上被图案化为俯视图案具有呈直线状延伸的部分，被设置为将所述第一外部端子与所述第一主电极区之间连接，而不连接至所述第二主电极区，在该主电流路径构件中，所述绝缘栅型半导体元件的主电流朝向所述第一外部端子流动；以及

栅极电流路径构件，其在所述绝缘电路基板上被图案化为俯视图案具有与所述主电流路径构件的呈直线状延伸的部分平行地配置的呈直线状延伸的部分，被设置为将所述第二外部端子与所述绝缘栅型半导体元件的栅极电极之间连接，在该栅极电流路径构件的平行地配置的所述部分，对所述主电流进行控制的栅极电流朝向与所述主电流相反的方向流动，

其中，通过因所述主电流所生成的磁场的变化而产生的互感来在所述栅极电流路径构件中产生的电流用于增大所述绝缘栅型半导体元件导通时的所述栅极电流。

2.根据权利要求1所述的绝缘栅型半导体装置，其特征在于，

所述栅极电流路径构件和所述主电流路径构件是相邻地设置的。

3.根据权利要求1或2所述的绝缘栅型半导体装置，其特征在于，

在所述栅极电流路径构件的与所述主电流路径构件相反的一侧还设置有辅助主电流路径构件。

4.一种绝缘栅型半导体装置的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：

准备包括具备第一主电极区和第二主电极区的半导体芯片的绝缘栅型半导体元件；

在绝缘电路基板上，将主电流路径构件和栅极电流路径构件进行图案化，所述主电流路径构件的俯视图案具有呈直线状延伸的部分，所述栅极电流路径构件的俯视图案具有与所述主电流路径构件的呈直线状延伸的部分平行地配置的呈直线状延伸的部分；

将所述半导体芯片搭载在绝缘电路基板上；

将所述主电流路径构件与所述绝缘栅型半导体元件的所述第一主电极区之间进行连接，而不将所述主电流路径构件连接至所述第二主电极区；以及

以使对所述绝缘栅型半导体元件的主电流进行控制的栅极电流朝向与所述主电流相反的方向流动的方式，将所述栅极电流路径构件与所述绝缘栅型半导体元件的栅极电极之间进行连接。