[发明专利]绝缘栅型半导体装置以及绝缘栅型半导体装置的制造方法

说明书

绝缘栅型半导体装置具备：半导体芯片(Q_j)；绝缘电路基板(100)，其具有第一外部端子(31)和第二外部端子(30)；主电流路径构件(21)，其在绝缘电路基板(100)上被设置成俯视图案具有呈直线状延伸的部分，在该主电流路径构件(21)中，半导体芯片(Q_j)的主电流(Ic)朝向第一外部端子(31)流动；以及栅极电流路径构件(20)，其在绝缘电路基板(100)上被设置成俯视图案具有与主电流路径构件(21)的呈直线状延伸的部分平行地配置的呈直线状延伸的部分，在栅极电流路径构件(20)的平行地配置的部分，对主电流(Ic)进行控制的栅极电流(Ig)朝向与主电流(Ic)相反的方向流动，其中，通过因主电流(Ic)所生成的磁场的变化而产生的互感来在栅极电流路径构件(20)中产生的电流用于增大半导体芯片(Q_j)导通时的栅极电流(Ig)。

技术领域

本发明涉及一种绝缘栅型半导体装置以及绝缘栅型半导体装置的制造方法。

背景技术

以往，作为在电力变换装置等中使用的开关元件，使用了绝缘栅型双极晶体管(IGBT)等绝缘栅型半导体装置。为了提高变换效率，减少该绝缘栅型半导体装置的开关损耗是重要的。作为减少开关损耗的技术，在专利文献1中提出了例如实现导通动作的高速化的方法。

但是，即使使用专利文献1的技术，也不能说开关动作时的导通动作的高速化是足够的，寻求一种能够减少开关损耗的进一步的新技术。

专利文献1：国际公开第2013/161138号

发明内容

发明要解决的问题

本发明是着眼于上述问题而完成的，其目的在于提供一种能够使开关动作时的导通动作高速化、能够减少开关损耗的绝缘栅型半导体装置以及绝缘栅型半导体装置的制造方法。

用于解决问题的方案

为了解决上述问题，本发明所涉及的绝缘栅型半导体装置的某个方式的宗旨在于，具备：(a)绝缘栅型半导体元件，其包括半导体芯片；(b)绝缘电路基板，其搭载半导体芯片，在该绝缘电路基板的周边具有第一外部端子和第二外部端子；(c)主电流路径构件，其在绝缘电路基板上俯视图案具有呈直线状延伸的部分，被设置为将第一外部端子与绝缘栅型半导体元件的主电极区之间连接，在该主电流路径构件中，绝缘栅型半导体元件的主电流朝向第一外部端子流动；以及(d)栅极电流路径构件，其在绝缘电路基板上俯视图案具有与主电流路径构件的呈直线状延伸的部分平行地配置的呈直线状延伸的部分，被设置为将第二外部端子与绝缘栅型半导体元件的栅极电极之间连接，在该栅极电流路径构件的平行地配置的部分，对主电流进行控制的栅极电流朝向与主电流相反的方向流动，其中，通过因主电流所生成的磁场的变化而产生的互感来在栅极电流路径构件中产生的电流用于增大绝缘栅型半导体元件导通时的栅极电流。

另外，本发明所涉及的绝缘栅型半导体装置的制造方法的某个方式的宗旨在于，包括以下步骤：(e)准备包括半导体芯片的绝缘栅型半导体元件；(f)在绝缘电路基板上，将主电流路径构件和栅极电流路径构件进行图案化，所述主电流路径构件的俯视图案具有呈直线状延伸的部分，所述栅极电流路径构件的俯视图案具有与主电流路径构件的呈直线状延伸的部分平行地配置的呈直线状延伸的部分；(g)将半导体芯片搭载在绝缘电路基板上；(h)将主电流路径构件与绝缘栅型半导体元件的主电极区之间进行连接；以及以使对绝缘栅型半导体元件的主电流进行控制的栅极电流朝向与主电流相反的方向流动的方式，将栅极电流路径构件与绝缘栅型半导体元件的栅极电极之间进行连接。

发明的效果

因而，根据本发明所涉及的绝缘栅型半导体装置以及绝缘栅型半导体装置的制造方法，能够使开关动作时的导通动作高速化，能够减少开关损耗。

附图说明