[发明专利]有机EL设备的制造方法有效

专利信息
申请号: 201780003621.7 申请日: 2017-06-27
公开(公告)号: CN109429571B 公开(公告)日: 2020-08-18
发明(设计)人: 鸣泷阳三;岸本克彦 申请(专利权)人: 堺显示器制品株式会社
主分类号: H05B33/10 分类号: H05B33/10;G09F9/00;G09F9/30;H01L21/336;H01L27/32;H01L29/786;H01L51/50;H05B33/02;H05B33/04;H05B33/12
代理公司: 上海音科专利商标代理有限公司 31267 代理人: 刘香兰
地址: 日本国大*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 有机 el 设备 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种制造方法,是有机EL设备的制造方法,该制造方法的特征在于,

所述有机EL设备具有:

基板,

驱动电路层,该驱动电路层具有:形成于所述基板上的多个TFT、分别与所述多个TFT中的任一个连接的多个栅极总线和多个源极总线、多个端子、以及将所述多个端子与所述多个栅极总线或所述多个源极总线的任一者连接的多根引出配线,

无机保护层,其形成于所述驱动电路层上,并使至少所述多个端子露出,

有机平坦化层,其形成于所述无机保护层上,

有机EL元件层,其形成于所述有机平坦化层上,且具有分别与所述多个TFT中的任一个连接的多个有机EL元件,以及

薄膜封装结构,其以将所述有机EL元件层覆盖的方式形成;

所述制造方法包含:

在所述基板上形成所述驱动电路层的工序A,

在所述驱动电路层上形成所述无机保护层的工序B,

在所述无机保护层上形成所述有机平坦化层的工序C,

将所述有机平坦化层加热为200℃以上的温度的工序D,以及

在所述工序D之后于所述有机平坦化层上形成所述有机EL元件层的工序E;

在所述工序C之后且所述工序D之前进而还包含:形成将所述有机平坦化层覆盖的有机高分子膜的工序C1、以及除去所述有机高分子膜的工序C2。

2.如权利要求1所述的制造方法,其特征在于,

在所述工序C1和所述工序C2之间,进而还包含保管或搬运形成有所述有机高分子膜的所述基板的工序。

3.如权利要求1所述的制造方法,其特征在于,

所述工序C1包含将有机高分子的溶液赋予到所述有机平坦化层上的工序。

4.如权利要求1~3中的任一项所述的制造方法,其特征在于,所述有机高分子膜由水溶性高分子形成。

5.如权利要求4所述的制造方法,其特征在于,所述工序C2包含利用水系溶剂使所述有机高分子膜溶解的工序。

6.如权利要求4所述的制造方法,其特征在于,所述水溶性高分子为聚乙烯醇。

7.如权利要求1~3中的任一项所述的制造方法,其特征在于,所述有机平坦化层由具有感光性的树脂形成。

8.如权利要求1~3中的任一项所述的制造方法,其特征在于,所述有机平坦化层由聚酰亚胺形成。

9.如权利要求1~3中的任一项所述的制造方法,其特征在于,

从所述基板的法线方向观察时,在形成有所述无机保护层的区域内,形成有所述有机平坦化层,在形成有所述有机平坦化层的区域内,配置有所述多个有机EL元件,所述薄膜封装结构的外缘与所述多根引出配线交差,并且存在于所述有机平坦化层的外缘与所述无机保护层的外缘之间;

所述薄膜封装结构具有:形成于所述有机EL元件层上的第一无机阻挡层、形成于所述第一无机阻挡层上的有机阻挡层、以及形成于所述有机阻挡层上的第二无机阻挡层;

在所述多根引出配线上所述无机保护层与所述第一无机阻挡层之间直接接触的部分中,所述第一无机阻挡层的、与所述多根引出配线的线宽方向平行的剖面的形状中的侧面的锥角小于90°。

10.如权利要求9所述的制造方法,其特征在于,

所述第一无机阻挡层的所述侧面的所述锥角小于70°。

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