[发明专利]阵列基板及其制造方法

权利要求书

1.一种阵列基板的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：

提供一衬底基板，在所述衬底基板上依次形成第一金属保护层、第一金属导电层和第二金属保护层；

在所述第二金属保护层上方层叠设置第二金属导电层；

在所述第二金属导电层表面覆盖第三金属保护层；

在所述第三金属保护层表面覆盖光阻图案层；

透过所述光阻图案层由所述第三金属保护层蚀刻至所述第一金属保护层，以形成沟道。

2.如权利要求1所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，所述在所述第二金属保护层上方层叠设置第二金属导电层包括：在所述第二金属保护层表面形成所述第二金属导电层，所述第二金属导电层覆盖于所述第二金属保护层。

3.如权利要求1所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，所述在所述第二金属保护层上方层叠设置第二金属导电层包括：

在所述第二金属保护层表面覆盖第三金属导电层；

在所述第三金属导电层表面覆盖第四金属保护层；

在所述第四金属导电层表面覆盖所述第二金属导电层。

4.如权利要求1所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，所述在所述第二金属保护层上方层叠设置第二金属导电层包括：

在所述第二金属保护层表面覆盖间隔层，其中，所述间隔层包括多个间隔设置的第三金属导电层和第四金属保护层，位于最下方的所述第三金属导电层连接并覆盖于所述第二金属保护层上方；

在最上方的所述第四金属保护层表面覆盖所述第二金属导电层。

5.如权利要求1所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，所述第一金属导电层及所述第二金属导电层的厚度小于或等于3000A。

6.如权利要求1所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，形成所述沟道后，所述方法还包括通过湿法蚀刻去除所述光阻图案层。

7.如权利要求1所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，所述光阻图案层镂空区的面积越大，所述第一金属导电层及所述第二金属导电层的厚度越小。

8.如权利要求1所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，透过所述光阻图案层由所述第三金属保护层采用湿法蚀刻至所述第一金属保护层，以形成沟道。

9.如权利要求8所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，所述湿法蚀刻采用的蚀刻液包括H₂O₂、金属螯合剂或有机酸。

10.一种阵列基板，其特征在于，包括衬底基板及依次层叠于所述衬底基板的第一金属保护层、第一金属导电层、第二金属保护层，及层叠设置于所述第二金属保护层上方的第二金属导电层、覆盖所述第二金属导电层表面的第三金属保护层，由所述第三金属保护层至所述第一金属保护层上形成有相互连通的通孔以形成沟道。

11.如权利要求10所述的阵列基板，其特征在于，还包括第三金属导电层和所述第四金属保护层，所述第三金属导电层覆盖于所述第二金属保护层表面，所述第四金属保护层介于所述第三金属导电层与所述第二金属导电层之间。

12.如权利要求10所述的阵列基板，其特征在于，还包括多个间隔设置的第三金属导电层和第四金属保护层，位于最下方的所述第三金属导电层覆盖于所述第二金属保护层表面，位于在最上方的所述第四金属保护层表面覆盖所述第二金属导电层。

13.如权利要求10所述的阵列基板，其特征在于，所述第一金属导电层及所述第二金属导电层的材料相同。

14.如权利要求13所述的阵列基板，其特征在于，所述第一金属导电层及所述第二金属导电层的材料为铝。