[发明专利]阵列基板及其制造方法

说明书

一种阵列基板及其制造方法，其中，方法包括如下步骤：提供一衬底基板(201)，在衬底基板(201)上依次形成第一金属保护层(202)、第一金属导电层(203)和第二金属保护层(204)；在第二金属保护层(204)上方层叠设置第二金属导电层(205)；在第二金属导电层(205)表面覆盖第三金属保护层(206)；在第三金属保护层(206)表面覆盖光阻图案层(207)；透过光阻图案层(207)由第三金属保护层(206)蚀刻至第一金属保护层(202)，以形成沟道(210)。通过在衬底基板上形成多层金属导电层，并且金属导电层外表面通过金属保护层进行保护，通过增加金属导电层的层数，从而减小单层金属导电层的厚度，进而减小蚀刻过程中在金属导电层侧壁上形成的凹陷的深度，降低后续工序中的品质异常，提升阵列基板的产品良率。

技术领域

本申请涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板及其制造方法。

背景技术

阵列基板的制造过程中，通常需要对源漏极层进行湿法蚀刻以形成沟道。湿法蚀刻过程中除了药液化学腐蚀，往往还伴随着电化学腐蚀(Galvanic Corros ion)。

请参阅图1。目前，阵列基板中通常采用钼(Mo)-铝(Al)-钼(Mo)结构作为阵列基板的源漏极层10(如图1a所示)。当第一钼层11被蚀刻穿透后，第一钼层11侧面与铝层12的上表面之间会形成电场(如图1b所示)，从而产生电化学腐蚀现象，导致第一钼层11的蚀刻速率下降，同时铝层12的蚀刻速率上升。蚀刻完成后在铝层12的侧面上会形成产生较大的凹陷14(如图1c所示)，后续膜层结构无法完全覆盖所述凹陷14内表面中，造成阵列基板的品质异常。

申请内容

本申请的目的在于提供一种阵列基板及其制造方法，可以减小制造过程中在金属导电层上形成的凹陷，提升阵列基板品质。

为实现上述目的，本申请提供如下技术方案：

本申请提供一种阵列基板的制造方法，包括如下步骤：

提供一衬底基板，在所述衬底基板上依次形成第一金属保护层、第一金属导电层和第二金属保护层；

在所述第二金属保护层上方层叠设置第二金属导电层；

在所述第二金属导电层表面覆盖第三金属保护层；

在所述第三金属保护层表面覆盖光阻图案层；

透过所述光阻图案层由所述第三金属保护层蚀刻至所述第一金属保护层，以形成沟道。

本申请还提供一种阵列基板，包括衬底基板及依次层叠于所述衬底基板的第一金属保护层、第一金属导电层、第二金属保护层，及层叠设置于所述第二金属保护层上方的第二金属导电层、覆盖所述第二金属导电层表面的第三金属保护层，由所述第三金属保护层至所述第一金属保护层上形成有相互连通的通孔以形成沟道。

本申请实施例具有如下优点或有益效果：

本申请的阵列基板的制造方法中，通过在衬底基板上形成多层金属导电层，并且金属导电层外表面通过金属保护层进行保护，通过增加金属导电层的层数，从而减小单层金属导电层的厚度，进而减小蚀刻过程中在金属导电层侧壁上形成的凹陷的深度，降低后续工序中的品质异常，提升阵列基板的产品良率。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为现有技术阵列基板制造过程示意图。

图2是本申请第一种实施方式阵列基板制造方法流程示意图。