[发明专利]半导体发光元件有效
申请号: | 201780005645.6 | 申请日: | 2017-01-05 |
公开(公告)号: | CN108475715B | 公开(公告)日: | 2020-11-03 |
发明(设计)人: | 全水根;晋根模;朴俊阐;郑然湖;崔日均 | 申请(专利权)人: | 世迈克琉明有限公司 |
主分类号: | H01L33/62 | 分类号: | H01L33/62;H01L33/36;H01L33/10;H01L33/60;H01L33/38;H01L33/02 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 金玲 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 发光 元件 | ||
1.一种半导体发光元件,其特征在于,该半导体发光元件包括:
多个半导体层,它们包括具备第1导电性的第1半导体层、具备与所述第1导电性不同的第2导电性的第2半导体层及介于所述第1半导体层与所述第2半导体层之间的有源层,该有源层通过电子和空穴的复合来生成光;
非导电性反射膜,其形成在所述多个半导体层上,以将从所述有源层生成的光向所述第1半导体层侧反射;
绝缘层,其形成在所述非导电性反射膜上;
第1电极部,其与所述第1半导体层电连接并供给电子和空穴中的一个;及
第2电极部,其与所述第2半导体层电连接并供给电子和空穴中的另一个,
所述第1电极部和所述第2电极部中的至少一个包括连接电极,该连接电极形成在所述非导电性反射膜与所述绝缘层之间并对所述非导电性反射膜覆盖50%以上。
2.根据权利要求1所述的半导体发光元件,其特征在于,
所述非导电性反射膜包括分布布拉格反射器。
3.根据权利要求1所述的半导体发光元件,其特征在于,
所述第1电极部及所述第2电极部中的一个包括的对所述非导电性反射膜覆盖50%以上的连接电极形成多个开口,第1电极部及第2电极部中的另一个包括的连接电极设于所述多个开口内。
4.根据权利要求1所述的半导体发光元件,其特征在于,
所述绝缘层由电介质形成。
5.根据权利要求1所述的半导体发光元件,其特征在于,
所述第1电极部和所述第2电极部中的至少一个包括形成于所述多个半导体层与所述非导电性反射膜之间的分支电极,该分支电极与所述连接电极电连接。
6.根据权利要求1所述的半导体发光元件,其特征在于,
对所述非导电性反射膜覆盖50%以上的连接电极形成多个开口。
7.根据权利要求1所述的半导体发光元件,其特征在于,
所述连接电极是多个岛状物形态,所述多个岛状物的面积形成为对所述非导电性反射膜覆盖50%以上。
8.根据权利要求1所述的半导体发光元件,其特征在于,
所述第1电极部及所述第2电极部中的一个包括的对所述非导电性反射膜覆盖50%以上的连接电极形成多个岛状物,所述第1电极部及所述第2电极部中的另一个包括的连接电极包围多个岛状物。
9.根据权利要求1所述的半导体发光元件,其特征在于,
所述非导电性反射膜和所述绝缘层是电介质。
10.根据权利要求1所述的半导体发光元件,其特征在于,
所述非导电性反射膜和所述绝缘层为电介质,所述第1电极部及所述第2电极部中的一个包括的对所述非导电性反射膜覆盖50%以上的连接电极形成多个开口,所述第1电极部及所述第2电极部中的另一个包括的连接电极设于多个开口内。
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