[发明专利]半导体发光元件

说明书

本公开涉及半导体发光元件，其特征在于，该半导体发光元件包括：多个半导体层，它们包括具备第1导电性的第1半导体层、具备与第1导电性不同的第2导电性的第2半导体层及介于第1半导体层与第2半导体层之间并通过电子和空穴的复合来生成光的有源层；绝缘层，其形成在多个半导体层上，并包括开口；及电极，其形成在绝缘层上，并通过开口而与多个半导体层电连接，该电极具备上表面及下表面，上表面的面积小于下表面的面积，该半导体发光元件为倒装芯片。

技术领域

本公开在整体上涉及半导体发光元件，特别地，涉及提高半导体发光元件的性能。

背景技术

在此，提供本公开的背景技术，但这些并不一定表示公知技术。另外，在本说明书中，上侧/下侧、上/下等这样的方向的表示以图为基准。

图1是示出以往的半导体发光元件的一例的图。

半导体发光元件包括生长衬底(10；例：蓝宝石衬底)，并在生长衬底(10)上依次蒸镀有缓冲层(20)、具备第1导电性的第1半导体层(30；例：n型GaN层)、通过电子和空穴的复合来生成光的有源层(40；例如；INGaN/(In)GaN多量子阱结构)、具备与第1导电性不同的第2导电性的第2半导体层(50；例：p型GaN层)，在其上形成有用于电流扩散的透光性导电膜(60)和用作接合焊盘的电极(70)，并且在通过蚀刻而露出的第1半导体层(30)上形成有用作接合焊盘的电极(80：例：Cr/Ni/Au层叠金属垫)。将如图1这样的形态的半导体发光元件特称为横向芯片。在此，衬底(10)侧在与外部电连接时被用作安装面。

图2是示出美国授权专利公报第7,262,436号中公开的半导体发光元件的另一例的图。为了便于说明，变更了附图标号。

半导体发光元件具备生长衬底(10)，并在生长衬底(10)上依次蒸镀有具备第1导电性的第1半导体层(30)、通过电子和空穴的复合而生成光的有源层(40)、具备与第1导电性不同的第2导电性的第2半导体层(50)，并在其上形成有用于向生长衬底(10)侧反射光的构成为3层的电极膜(90，91，92)。第1电极膜(90)是Ag反射膜，第2电极膜(91)是Ni扩散防止膜，第3电极膜(92)是Au接合层。在通过蚀刻而露出的第1半导体层(30)上形成有用作接合焊盘的电极(80)。在此，电极膜(92)侧在与外部电连接时被用作安装面。如图2所示，电极在与外部电连接时被用作安装面，将具备用于将从有源层生成的光向生长衬底侧反射的结构的半导体发光元件特称为倒装芯片。在图2所示的倒装芯片的情况下，形成在第1半导体层(30)上的电极(80)的高度低于形成在第2半导体层上的电极膜(90，91，92)的高度，但也可形成在相同的高度。在此，高度的基准可以是自生长衬底(10)的高度。

图3是示出美国授权专利公报第8,008,683号中公开的半导体发光元件的又一例的图。为了便于说明，变更了附图标号。

半导体发光元件依次形成有具备第1导电性的第1半导体层(30)、通过电子和空穴的复合而生成光的有源层(40)、具备与第1导电性不同的第2导电性的第2半导体层(50)，并包括形成在去除生长衬底的一侧的电极(120)、向第2半导体层(50)供给电流的同时支承半导体层(30，40，50)的支承衬底(100)、及形成在支承衬底(100)上的电极(110)。电极(120)利用引线接合而与外部电连接。电极(110)侧在与外部电连接时被用作安装面。如图3所示，将具备在有源层(40)上及在有源层(40)下各设一个电极(110，120)而成的结构的半导体发光元件称为垂直芯片。

图4是示出韩国授权专利公报第10-1405449号中记载的倒装芯片的另一例的图。为了便于说明，修改了附图标号。