[发明专利]缩合反应型芯片粘合剂、LED发光装置及其制造方法

权利要求书

1.一种缩合反应型芯片粘合剂，其为对表面具有元件电极的LED元件进行接合的缩合反应型芯片粘合剂，且所述元件电极具有被金覆盖的连接面，其特征在于，所述芯片粘合剂含有：

（A）室温下为固体状的聚倍半硅氧烷，其具有以R¹SiO_3/2表示的三硅氧基单元T_A，且具有羟基；通式R¹SiO_3/2中，R¹表示从碳原子数1~15的烷基、苯基和苄基组成的组中选择的一种，

（B）室温下为液体状的聚倍半硅氧烷，其具有65～95摩尔%或100摩尔%的以R²SiO_3/2表示的三硅氧基单元T_B，且具有-OR²；通式R²SiO_3/2中，R²表示从碳原子数1~15的烷基、苯基和苄基组成的组中选择的一种, 通式-OR²中，R²表示从碳原子数1~15的烷基、苯基和苄基组成的组中选择的一种，和

（C）缩合反应催化剂。

2.根据权利要求1所述的缩合反应型芯片粘合剂，其中，（A）成分的软化点为40~150℃。

3.根据权利要求1或2所述的缩合反应型芯片粘合剂，其中，（B）成分的粘度为5~10,000mPa･s/25℃。

4.根据权利要求1或2所述的缩合反应型芯片粘合剂，其中，进一步含有（D）无机填料。

5.一种制造LED发光装置的制造方法，其特征在于，包括：

用芯片粘合剂将表面具有元件电极的LED元件接合在具有基板电极的安装基板的表面上，且所述元件电极具有被金覆盖的连接面，

通过导电性配线部件连接所述基板电极和所述元件电极的所述连接面之间，

用密封部件密封所述LED元件；

所述芯片粘合剂是缩合反应型芯片粘合剂，其含有：

（A）室温下为固体状的聚倍半硅氧烷，其具有以R¹SiO_3/2表示的三硅氧基单元T_A，且具有羟基；通式R¹SiO_3/2中，R¹表示从碳原子数1~15的烷基、苯基和苄基组成的组中选择的一种，

（B）室温下为液体状的聚倍半硅氧烷，其具有65～95摩尔%或100摩尔%的以R²SiO_3/2表示的三硅氧基单元T_B，且具有-OR²；通式R²SiO_3/2中，R²表示从碳原子数1~15的烷基、苯基和苄基组成的组中选择的一种，通式-OR²中，R²表示从碳原子数1~15的烷基、苯基和苄基组成的组中选择的一种，和

（C）缩合反应催化剂。

6.根据权利要求5所述的制造LED发光装置的制造方法，其中，（C）缩合反应催化剂为从镁、铝、锡、锌、铁、钴、镍、锆、铈和钛的化合物组成的组中选择的至少一种。

7.根据权利要求6所述的制造LED发光装置的制造方法，其中，（C）缩合反应催化剂不包含游离羧酸。