[发明专利]缩合反应型芯片粘合剂、LED发光装置及其制造方法

说明书

本发明提供一种电极产生导电不良的可能性低的LED发光装置。芯片粘合剂为对具有被金覆盖的连接面的LED元件进行接合的缩合反应型粘合剂，其含有：(A)室温下为固体状的聚倍半硅氧烷，其具有以R¹SiO_3/2(式中，R¹表示从碳原子数1～15的烷基、苯基和苄基组成的组中选择的一种。)表示的三硅氧基单元(T_A)且具有羟基，(B)室温下为液体状的聚倍半硅氧烷，其具有以R²SiO_3/2(式中，R²表示从碳原子数1～15的烷基、苯基和苄基组成的组中选择的一种。)表示的三硅氧基单元(T_B)且具有‑OR²(式中，R²表示从碳原子数1～15的烷基、苯基和苄基组成的组中选择的一种。)，以及(C)缩合反应催化剂。

技术领域

本发明涉及缩合反应型芯片粘合剂(Die Bonding Agent)、LED发光装置及其制造方法。

背景技术

已知：用接合剂接合LED元件和安装基板之后，LED元件的电极和安装基板的电极之间通过配线部件连接，用密封部件密封LED元件和配线部件的LED发光装置。此外，已知，LED发光装置中，作为接合安装基板和LED元件的芯片粘合剂，使用硅酮树脂组合物。

例如，专利文献1所记载的硅酮树脂组合物可以通过加成反应而形成转印性和可操作性优异且高硬度、耐热变色性、接合性和耐破裂性优异的固化物，因此，可以作为芯片粘合剂使用。

现有技术文献

专利文献

【专利文献1】日本专利特开2015-140372号公报

发明内容

使用加成反应型的芯片粘合剂接合安装基板和LED元件之后，如果LED元件的元件电极和安装基板的基板电极之间通过引线键合(wire bonding)连接，那就有产生所连接的元件电极和基板电极之间的通电不良的情况。

使用加成反应型的芯片粘合剂接合安装基板和LED元件之后，为使芯片粘合剂固化，通常进行加热处理和/或规定时间的静置处理。加热处理或静置处理时，通过加成反应型的芯片粘合剂所含的硅氧烷气化，以覆盖元件电极的连接面的金作为催化剂进行加成反应，从而，在LED元件的连接面上形成绝缘层。更详细地，通过加成反应型的芯片粘合剂所含的具有SiH基的硅氧烷和具有乙烯基的低分子的硅氧烷气化，以金作为催化剂进行加成反应，在被金覆盖的LED元件的元件电极的连接面上形成绝缘层。该绝缘层是通电不良的一个原因。

一个实施方式中，其目的在于提供：电极产生导电不良的可能性低的缩合反应型芯片粘合剂、使用了该芯片粘合剂的LED发光装置的制造方法，和使用了该芯片粘合剂的LED发光装置。

为了达到上述目的，实施方式涉及的芯片粘合剂为对表面具有元件电极的LED元件进行接合的缩合反应型芯片粘合剂，且所述元件电极具有被金覆盖的连接面，该芯片粘合剂含有：(A)室温下为固体状的聚倍半硅氧烷，其具有以R¹SiO_3/2(式中，R¹表示从由碳原子数1～15的烷基、苯基和苄基组成的组中选择的一种。)表示的三硅氧基单元(T_A)，且具有羟基，(B)室温下为液体状的聚倍半硅氧烷，其具有以R²SiO_3/2(式中，R²表示从碳原子数1～15的烷基、苯基和苄基组成的组中选择的一种。)表示的三硅氧基单元(T_B)，且具有-OR²(式中，R²表示从碳原子数1～15的烷基、苯基和苄基组成的组中选择的一种。)，以及(C)缩合反应催化剂。