[发明专利]用于真空处理基板的设备、用于真空处理基板的系统和用于在真空腔室中传送基板载体和掩模载体的方法在审
申请号: | 201780006944.1 | 申请日: | 2017-04-12 |
公开(公告)号: | CN109075114A | 公开(公告)日: | 2018-12-21 |
发明(设计)人: | 马蒂亚斯·赫曼尼斯 | 申请(专利权)人: | 应用材料公司 |
主分类号: | H01L21/677 | 分类号: | H01L21/677;H01L21/68 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金国;赵静 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 真空处理 真空腔室 基板 致动器 传送基板 对准系统 基板传送 机械隔离 掩模传送 掩模 | ||
一种用于真空处理基板的设备。该设备包括真空腔室、基板传送组件、掩模传送组件和具有致动器和位于致动器与真空腔室之间的机械隔离元件的对准系统。
技术领域
本公开内容的实施方式涉及一种用于真空处理基板的设备、一种用于真空处理基板的系统和一种用于在真空腔室中传送基板载体和掩模载体的方法。本公开内容的实施方式特别涉及一种用于固持用于制造有机发光二极管(organic light-emitting diode,OLED)装置的基板和掩模的载体。
背景技术
用于在基板上层沉积的技术包括例如热蒸发、物理气相沉积(PVD)和化学气相沉积(CVD)。涂覆的基板可用于多种应用和数个技术领域。例如,涂覆的基板可用于有机发光二极管(OLED)装置领域。OLED可用于制造用于显示信息的电视屏幕、计算机监视器、移动电话、其他手持装置等。诸如OLED显示器的OLED装置可包括沉积在基板上位于两个电极之间的一层或多层有机材料。
OLED装置的功能可取决于有机材料的涂层厚度。厚度必须在预定的范围内。在OLED装置的生产中,为了实现高分辨率OLED装置,在蒸发材料的沉积方面存在技术挑战。特别是,通过处理系统的基板载体和掩模载体的准确且平稳的传送仍然具有挑战性。此外,基板相对于掩模的精确对准对于获得高质量的处理结果是至关重要的,例如对于生产高分辨率OLED装置来说。
基于上述,用于真空处理基板的新载体、用于真空处理基板的系统和用于在真空腔室中传送基板载体和掩模载体的方法克服在本领域中的至少一些问题是有益的。本公开内容特别旨在提供可以在真空腔室中有效地传送的载体。
发明内容
基于上述,提供一种用于真空处理基板的设备、一种用于真空处理基板的系统和一种用于在真空腔室中传送基板载体和掩模载体的方法。根据权利要求书、说明书和所附附图,本公开内容的其他方面、益处和特征是显而易见的。
根据本公开内容的一个方面,提供一种用于真空处理基板的设备。该设备包括真空腔室、基板传送组件、掩模传送组件和具有致动器和在致动器与真空腔室之间的机械隔离元件的对准系统。
根据本公开内容的一个方面,提供一种用于真空处理基板的设备。该设备包括真空腔室、基板轨道组件、掩模轨道组件和具有致动器和在致动器与真空腔室之间的机械隔离元件的对准系统。
根据本公开内容的另一方面,提供一种用于真空处理基板的系统。该系统包括根据本文描述的实施方式的用于真空处理基板的设备、基板载体和掩模载体。
根据本公开内容的另一方面,提供一种用于在真空腔室中传送基板载体和掩模载体的方法。该方法包括利用真空腔室中的对准系统的致动器将基板载体和掩模载体相互对准;补偿或减少从真空腔室传递到致动器的机械噪音、动态变形和静态变形中的至少一个。
实施方式还涉及用于执行所公开的方法的设备,并且包括用于执行每个所描述的方法方面的设备部分。这些方法方面可以通过硬件部件、由适当软件编程的计算机,由以上两者的任何组合或以任何其他方式来执行。此外,根据本公开内容的实施方式还涉及用于操作所描述的设备的方法。用于操作所描述的设备的方法包括用于执行设备的每个功能的方法方面。
附图说明
为了能够详细理解本公开内容的上述特征的方式,可以通过参考实施方式来对上面简要说明的本公开内容有更具体的描述。附图涉及本公开内容的实施方式并且在下文中进行描述:
图1A绘示根据本文描述的实施方式的第一轨道组件或第一传送组件和基板载体的示意图。
图1B绘示根据本文描述的实施方式的第二轨道组件或第二传送组件和掩模载体的示意图。
图2绘示根据本文描述的实施方式的用于真空处理基板的设备的示意图。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造