[发明专利]随后的MRI配置依赖性涡流补偿有效

专利信息
申请号: 201780007615.9 申请日: 2017-01-16
公开(公告)号: CN109073726B 公开(公告)日: 2021-02-26
发明(设计)人: J·S·范登布林克 申请(专利权)人: 皇家飞利浦有限公司
主分类号: G01R33/565 分类号: G01R33/565
代理公司: 永新专利商标代理有限公司 72002 代理人: 李光颖;王英
地址: 荷兰艾*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 随后 mri 配置 依赖性 涡流 补偿
【说明书】:

一种磁共振成像系统(10)包括磁梯度线圈系统(22),所述磁梯度线圈系统被配置用于通过根据期望的磁共振检查模式将预定时间电流分布提供到至少一个磁梯度线圈生成梯度磁场。这样一来不是原始磁共振成像系统(10)的部分的额外的设备(50)旨在出于特殊的检查或者其他目的被定位在所述磁共振成像系统(10)的内部区域(44)内。所述额外的设备(50)当暴露于所生成的梯度磁场时,能够在所述额外的设备(50)的至少部分中生成涡流。所述磁共振成像系统(10)被配置用于在接收到指示所述磁共振成像系统(10)的内部区域(44)内的至少一个额外的设备(50)的存在的信息的情况下,至少基于至少一个预定参数集来修改预定电流分布;以及‑在至少一个额外的设备(50)的存在的情况下关于通过梯度线圈系统(22)的至少一个磁梯度线圈生成梯度磁场操作磁共振成像系统(10)的方法。

技术领域

本发明涉及一种具有涡流校正的磁共振成像系统,以及一种关于操作梯度磁场操作所述磁共振成像系统的方法。

背景技术

在磁共振(MR)检查的领域中,已知由MR成像系统的梯度线圈有意地生成的时间变化的磁场可以在作为MR成像系统的部分的导电物体中生成非期望的涡流。

作为一个效应,所生成的涡流自身继而生成磁场,所述磁场可以在MR成像中引起严重的问题并且可以导致图像失真、重影效应、不可靠的水脂分离,并且可以影响定量参数评价,诸如q-流。涡流因此通常针对MR成像系统并且在有限视场(FOV)处被表征并且补偿。

例如,专利申请US 2012/0229139 A1描述了一种MR成像装置,包括存储单元、涡流校正单元和梯度磁场电源。存储单元在其中存储均对应于成像位置的涡流校正参数,以校正涡流磁场的影响。涡流校正单元接收根据成像状况所计算的梯度磁场的波形,通过使用根据位置所选择的涡流校正参数来执行到接收到的梯度磁场的波形上的计算,并且将作为计算结果所获得的经校正的波形输出到梯度磁场电源。梯度磁场电源接收经校正的波形并且根据经校正的波形施加梯度磁场。摘要ISMRM-2011p.4564公开了通过调节编码梯度来补偿特定高阶涡流(HOEC)。更具体地,由Xu D.等人在ISMRM-2011 p.4565的“CorrectingHigh Order Eddy Current Induced Distortion for Diffusion Weighted Echo PlanarImaging”涉及经受由于扩散梯度生成的涡流的方向依赖性失真的问题的扩散加权EPI采集。“Correcting High Order Eddy Current Induced Distortion for DiffusionWeighted Echo Planar Imaging”中的观察在于,干扰也可以是切片依赖性的。为了解决干扰,梯度波形在逐切片基础上被修改并且还通过后处理校正失真图像(以校正所谓的II型项)。波形在扩散方向的图像之间的相位差的评价的基础上但是在每切片基础上针对相反极性被修改。

发明内容

由MR成像系统的梯度线圈故意地生成的时间变化的磁场可以在导电物体中生成不期望的涡流,其这样一来不是原始MR成像系统的部分并且其出于特殊检查目的已经被定位在所述MR成像系统内。当不是原始MR成像系统的部分的导电物体存在于MR成像系统内时,所描述的不期望的涡流可以显著地变化。出于区别目的,这样一来不是原始MR成像系统的部分并且出于特殊检查或者其他目的已经被定位在MR成像系统内的设备在以下中将被称为“额外的设备”。

预期了多种潜在的额外的设备,包括但不限于腹部聚焦超声(FUS)设备、胸部FUS设备、大脑FUS设备、大脑立体定向框架设备和前列腺活检设备。

因此,本发明的目标是提供用于已经被定位在MR成像系统内的一个或多个额外的设备的特定配置的涡流补偿。

在本发明的一个方面中,目标通过磁共振(MR)成像系统实现,其包括:

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