[发明专利]氮化硅烧结基板、氮化硅烧结基板片、回路基板和氮化硅烧结基板的制造方法

权利要求书

1.一种氮化硅烧结基板，其特征在于：

具有比1边为120mm的正方形更大的形状的主面，

在所述主面内，以三行三列方式配置多个直径3cm的圆，其中，

在主面的中央位置配置一个第一圆，所述第一圆的圆心与所述主面的中心一致；

在主面顶点附近位置配置多个第二圆，各个所述第二圆与从各自最靠近的2个主面的边起分别向基板内侧1cm处画出的线相切，

将得到的对应于所述第一圆处的所述基板作为所述主面的中央部，将得到的多个对应于所述第二圆处的所述基板中密度最低的基板作为所述主面的端部，

所述主面的所述中央部的密度dc与所述端部的密度de的比dc/de为0.98以上，所述主面的所述中央部的空隙率vc为1.80%以下，所述端部的空隙率ve为1.00%以下。

2.如权利要求1所述的氮化硅烧结基板，其特征在于：

所述中央部的密度dc为3.120g／cm³以上，所述端部的密度de为3.160g／cm³以上，所述中央部的空隙率vc与所述端部的空隙率ve的比ve／vc为0.50以上。

3.如权利要求1所述的氮化硅烧结基板，其特征在于：

所述中央部的密度dc为3.140g／cm³以上，所述端部的密度de为3.160g／cm³以上，所述中央部的空隙率vc为1.3%以下。

4.如权利要求1或2所述的氮化硅烧结基板，其特征在于：

由达到10pC的放电电荷量时的电压值定义的局部放电起始电压为4.0kV以上。

5.如权利要求1或3所述的氮化硅烧结基板，其特征在于：

由达到10pC的放电电荷量时的电压值定义的局部放电起始电压为5.0kV以上。

6.如权利要求1～3中任一项所述的氮化硅烧结基板，其特征在于：碳含量为0.20质量%以下。

7.如权利要求1～3中任一项所述的氮化硅烧结基板，其特征在于：具有0.15mm以上2.0mm以下的厚度。

8.如权利要求1～3中任一项所述的氮化硅烧结基板，其特征在于：所述主面具有比150mm×170mm的长方形更大的形状。

9.如权利要求1～3中任一项所述的氮化硅烧结基板，其特征在于：所述主面具有1边为250mm的正方形或比其小的形状。

10.从权利要求1～9中任一项所述的氮化硅烧结基板分割而得到的多个氮化硅烧结基板片。

11.一种回路基板，其特征在于：

使用权利要求1～9中任一项所述的氮化硅烧结基板，

该回路基板具有8.0kV以上的绝缘击穿耐受电压和6以上的绝缘击穿耐受电压的威布尔系数。

12.如权利要求11所述的回路基板，其特征在于：

所述主面具有1边为220mm的正方形或比其小的形状，具有10以上的绝缘击穿耐受电压的威布尔系数。