[发明专利]氮化硅烧结基板、氮化硅烧结基板片、回路基板和氮化硅烧结基板的制造方法

说明书

本发明提供一种大型氮化硅烧结基板及其制造方法。该氮化硅烧结基板具有比1边为120mm的正方形更大的形状的主面(101a)，主面(101a)的中央部的密度dc与端部的密度de的比dc/de为0.98以上，主面(101a)的中央部的空隙率vc为1.80％以下，端部的空隙率ve为1.00％以下。优选上述中央部的密度dc为3.120g/cm³以上，上述端部的密度de为3.160g/cm³以上，上述中央部的空隙率vc与上述端部的空隙率ve的比ve/vc为0.50以上。

技术领域

本发明涉及氮化硅烧结基板、氮化硅烧结基板片、回路基板和氮化硅烧结基板的制造方法。

背景技术

近年来，电源模块、LED等大功率电子回路已被用于各种用途，并且需要用于这样的回路的组装等的绝缘性基板。这样的绝缘性基板通常使用陶瓷基板。特别而言，氮化硅烧结基板具有优异的机械强度。例如，专利文献1公开了一种低介电常数、气密性和生产率高的氮化硅烧结基板。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开平6－24850号公报

发明内容

发明所要解决的课题

在上述的用途中，有时需要大型的绝缘性基板。另外，为了使获取数量变多而提高生产率，需要实现大型的氮化硅烧结基板。本发明提供大型的氮化硅烧结基板、氮化硅烧结基板片、回路基板和氮化硅烧结基板的制造方法。

用于解决课题的方法

本发明的一个实施方式的氮化硅烧结基板具有比1边为120mm的正方形更大的形状的主面，上述主面的中央部的密度dc与端部的密度de的比dc/de为0.98以上，上述主面的中央部的空隙率vc为1.80％以下，端部的空隙率ve为1.00％以下。

上述中央部的密度dc为3.120g/cm³以上，上述端部的密度de为3.160g/cm³以上，上述中央部的空隙率vc与上述端部的空隙率ve的比ve/vc可以为0.50以上。

上述中央部的密度dc为3.140g/cm³以上，上述端部的密度de为3.160g/cm³以上，上述中央部的空隙率vc可以为1.3％以下。

氮化硅烧结基板的由达到10pC的放电电荷量时的电压值定义的局部放电起始电压可以为4.0kV以上。

氮化硅烧结基板的由达到10pC的放电电荷量时的电压值定义的局部放电起始电压可以为5.0kV以上。

氮化硅烧结基板可以具有0.15mm以上2.0mm以下的厚度。

上述主面可以具有1边为250mm的正方形或比其小的形状。

氮化硅烧结基板的碳含量可以为0.20质量％以下。

氮化硅烧结基板的上述主面可以具有比150mm×170mm的长方形更大的形状。

本发明的一个实施方式的多个氮化硅烧结基板片从上述任意处所记载的氮化硅烧结基板分割。

本发明的一个实施方式的回路基板是使用上述任意处所记载的氮化硅烧结基板的回路基板，具有8.0kV以上的绝缘击穿耐受电压和6以上的绝缘击穿耐受电压的威布尔系数。

上述主面可以具有1边为220mm的正方形或比其小的形状，具有10以上的绝缘击穿耐受电压的威布尔系数。