[发明专利]场效应晶体管、其制造方法、显示元件、显示设备和系统

权利要求书

1.一种制造场效应晶体管的方法，所述场效应晶体管包括栅极绝缘层和电极，所述电极包括相继层压在所述栅极绝缘层的预定表面上的第一导电膜和第二导电膜，所述方法包括以下步骤：

形成包括元素A和元素B的氧化膜作为栅极绝缘层，所述元素A是碱土金属，所述元素B是从由Ga、Sc、Y和镧系元素构成的组中选择的至少一个元素；

在所述氧化膜上形成在有机碱性溶液中溶解的第一导电膜；

在所述第一导电膜上形成第二导电膜；

用具有比对于所述第一导电膜的蚀刻速率更高的对于第二导电膜的蚀刻速率的蚀刻溶液来蚀刻所述第二导电膜；以及

使用第二导电膜作为掩模，用有机碱性溶液蚀刻所述第一导电膜。

2.根据权利要求1所述的制造场效应晶体管的方法，所述方法还包括以下步骤：

在所述第二导电膜上形成第三导电膜；以及

用具有比对于所述第二导电膜的蚀刻速率更高的对于所述第三导电膜的蚀刻速率的蚀刻溶液来蚀刻所述第三导电膜；

其中，在蚀刻所述第一导电膜的步骤中，使用所述第二导电膜和所述第三导电膜作为掩模，用有机碱性溶液蚀刻所述第一导电膜。

3.根据权利要求1所述的制造场效应晶体管的方法，所述方法还包括以下步骤：

在所述第一导电膜上形成在有机碱性溶液中溶解的所述第二导电膜；

在所述第二导电膜上形成第三导电膜；

用具有比对于所述第二导电膜的蚀刻速率更高的对于所述第三导电膜的蚀刻速率的蚀刻溶液来蚀刻所述第三导电膜；以及

取代实施蚀刻所述第一导电膜的步骤和蚀刻所述第二导电膜的步骤，使用所述第三导电膜作为掩模，用有机碱性溶液同时蚀刻所述第一导电膜和所述第二导电膜。

4.根据权利要求1所述的制造场效应晶体管的方法，其中，

所述第一导电膜是包括Al的金属膜；以及

所述第二导电膜是包括Mo、W、Ti、Ta、Cr、Cu和Ni中的至少一种的金属膜。

5.根据权利要求2所述的制造场效应晶体管的方法，其中，

所述第一导电膜是包括Al的金属膜；

所述第二导电膜是包括Mo、W、Ta、Cr、Au、Cu和Ni中的至少一种的金属膜；以及

所述第三导电膜是包括Ti的金属膜。

6.根据权利要求3所述的制造场效应晶体管的方法，其中，

所述第一导电膜是包括Al的金属膜；

所述第二导电膜是包括Cu的金属膜；以及

所述第三导电膜是包括Ti的金属膜。

7.根据权利要求1-6中任一项所述的制造场效应晶体管的方法，其中，所述氧化膜包括顺电非晶氧化物或由所述顺电非晶氧化物构成。

8.根据权利要求1-7中任一项所述的制造场效应晶体管的方法，其中，所述氧化膜还包括元素C，所述元素C是从由Al、Ti、Zr、Hf、Nb、和Ta构成的组中选择的至少一种元素。

9.一种场效应晶体管，包括：

基材料；

形成在基材料上的源电极、漏电极和栅电极；

有源层，当预定电压施加到栅电极时，该有源层在源电极和漏电极之间形成沟道；以及

布置在栅电极和有源层之间的栅极绝缘层；

其中，所述栅极绝缘层由包括元素A和元素B的氧化膜制成，所述元素A是碱土金属，所述元素B是从由Ga、Sc、Y和镧系元素构成的组中选择的至少一个元素；以及

其中，源电极、漏电极和形成在栅极绝缘层的预定表面上的栅电极中的至少一个电极是层压膜，该层压膜包括在有机碱性溶液中溶解的第一导电膜和形成在第一导电膜上的第二导电膜，用于蚀刻第二导电膜的预定蚀刻溶液的蚀刻速率比用于蚀刻第一导电膜的该预定蚀刻溶液的蚀刻速率更高。