[发明专利]场效应晶体管、其制造方法、显示元件、显示设备和系统

说明书

提供了制造场效应晶体管的方法，该场效应晶体管包括栅极绝缘层和电极，该电极包括相继层压在该栅极绝缘层的预定表面上的第一导电膜和第二导电膜。该方法包括以下步骤：形成包括元素A和元素B的氧化膜作为栅极绝缘层，该元素A是碱土金属，该元素B是从由Ga、Sc、Y和镧系元素构成的组中选择的至少一个元素；在氧化膜上形成在有机碱性溶液中溶解的第一导电膜；在第一导电膜上形成第二导电膜；用具有比对于第一导电膜的蚀刻速率更高的对于第二导电膜的蚀刻速率的蚀刻溶液来蚀刻第二导电膜；以及使用第二导电膜作为掩模，用有机碱性溶液蚀刻第一导电膜。

技术领域

本发明涉及场效应晶体管、其制造方法、显示元件、显示设备和系统。

背景技术

由于场效应晶体管(FET)具有低栅极电流和扁平结构，因此与双极晶体管相比，它们更容易制造和集成。因此，FET是当前电子器件中使用的集成电路的必不可少的元件。

传统上，硅基绝缘膜已广泛用作场效应晶体管的栅极绝缘层。然而，近年来，随着对场效应晶体管中的更高集成度和更低功耗的不断增长的需求，正在考虑使用所谓的高k绝缘膜形成栅极绝缘层的技术，该高k绝缘膜与硅基绝缘膜相比具有显著更高的介电常数。例如，已知一种场效应晶体管，其包括使用包含稀土氧化物、稀土硅酸盐、稀土铝酸盐或稀土元素；铝；和硅的氧化膜的栅极绝缘层(例如，参见专利文献1)。

另一方面，与在蚀刻构成栅极绝缘的上层的电极的蚀刻处理期间对构成栅极绝缘层的氧化膜的损坏有关的问题尚未解决。也就是说，当蚀刻处理期间发生诸如栅极绝缘层的膜变薄的损坏时，例如，可能产生泄漏电流，从而不利地影响场效应晶体管的电特性。

发明内容

本发明要解决的问题

本发明的一个目的是提供一种制造场效应晶体管的方法，该场效应晶体管包括由氧化膜制成的栅极绝缘层，使得当在栅极绝缘层上图案化导电膜时能防止对栅极绝缘层的蚀刻损坏。

解决问题的手段

根据本发明的一个实施例，提供一种制造场效应晶体管的方法，该场效应晶体管包括栅极绝缘层和电极，该电极包括顺序层压在栅极绝缘层的预定表面上的第一导电膜和第二导电膜。该方法包括以下步骤：形成氧化膜，该氧化膜包括元素A、元素B和镧系元素，元素A是碱土金属，元素B是从由Ga、Sc、Y和镧系元素构成的组中选择的至少一个元素；在氧化膜上形成第一导电膜，该第一导电膜在有机碱性溶液中溶解；在第一导电膜上形成第二导电膜；用具有比对于第一导电膜的蚀刻速率更高的对于第二导电膜的蚀刻速率的蚀刻溶液来蚀刻第二导电膜；以及将第二导电膜作为掩模，用有机碱性溶液蚀刻第一导电膜。

本发明的效果

根据本发明的方面，在制造包括由氧化膜制成的栅极绝缘层的场效应晶体管的方法中，当在栅极绝缘层上图案化导电膜时能防止对栅极绝缘层的蚀刻损坏。

附图说明

图1是根据本发明的第一实施例的场效应晶体管的截面图；

图2是示出制造根据第一实施例的场效应晶体管的处理步骤的第一示图；

图3是示出制造根据第一实施例的场效应晶体管的处理步骤的第二示图；

图4是示出制造根据第一实施例的场效应晶体管的处理步骤的第三示图；

图5是示出制造根据第一实施例的场效应晶体管的处理步骤的第四示图；

图6是示出制造根据第一实施例的场效应晶体管的处理步骤的第五示图；

图7是示出制造根据第一实施例的场效应晶体管的处理步骤的第六示图；

图8是示出制造根据第一实施例的场效应晶体管的处理步骤的第七示图；

图9是根据第一实施例的第一示例修改的场效应晶体管的截面图；