[发明专利]激光加工装置及激光加工方法在审
申请号: | 201780008385.8 | 申请日: | 2017-01-23 |
公开(公告)号: | CN108602158A | 公开(公告)日: | 2018-09-28 |
发明(设计)人: | 奥间惇治 | 申请(专利权)人: | 浜松光子学株式会社 |
主分类号: | B23K26/046 | 分类号: | B23K26/046;B23K26/00;H01L21/301;B23K26/53 |
代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人: | 杨琦 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 聚光单元 激光加工装置 加工对象物 位移传感器 温度传感器 激光加工 驱动量 移动部 致动器 加工预定线 控制致动器 激光光源 激光照射 相对移动 聚光点 支承台 入射 驱动 检测 | ||
一种激光加工装置,是通过沿加工预定线将激光照射于加工对象物,从而进行上述加工对象物的激光加工的激光加工装置,具备支承台、激光光源、聚光单元、移动部、致动器、位移传感器、温度传感器以及控制部。控制部根据位移传感器所测定的入射面的位移、与温度传感器所检测的聚光单元的温度,计算出致动器所致的聚光单元的驱动量,并且控制致动器,使得在移动部使聚光点相对移动时,对应于驱动量来驱动聚光单元。
技术领域
本发明的一个方面涉及激光加工装置、及激光加工方法。
背景技术
在专利文献1中记载有半导体芯片制造方法。在该方法中,将半导体晶圆分割成多个半导体芯片,该半导体晶圆通过将n型氮化镓系半导体层(n型层)与p型氮化镓系半导体层(p型层)在蓝宝石基板上层叠而形成。在该方法中,首先,通过所期望的芯片形状形成元件分离槽。元件分离槽通过蚀刻p型层而形成。接着,在蓝宝石基板的内部形成改质区域。改质区域通过将聚光点对准蓝宝石基板的内部并照射激光而形成。改质区域利用在半导体晶圆的分断。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开2011-181909号公报
发明内容
发明所要解决的课题
上述的方法中,考虑由于氮化镓系化合物半导体的性质而使破裂面倾斜地形成的倾向,将改质区域相对于元件分离槽的中央线错开地形成。由此,破裂面出现在元件分离槽。这样,上述技术领域中,关于沿激光的入射面的方向,进行控制改质区域的形成位置。
然而,即使关于加工对象物的厚度方向(即,与激光的入射面交叉的方向),也优选正确控制改质区域的形成位置。因此,关于与激光的入射面交叉的方向,要求对应于入射面的位移而正确控制激光的聚光位置。其在改质区域的形成以外的激光加工(例如烧蚀(ablation)等的表面加工)的情况下也同样被要求。
为了对应于入射面的位移而控制激光的聚光位置,考虑例如通过位移传感器测定激光的入射面的位移,根据该位移一边调整激光的聚光位置,一边进行激光的照射。为了调整激光的聚光位置,也可以通过例如致动器等对应于入射面的位移而驱动包含用于聚光激光的聚光透镜的聚光单元。
但是,有聚光单元的温度因激光的能量而变动的情况。聚光单元的温度变动的话,则聚光透镜的焦点位置也变动。因此,即使根据通过位移传感器所测定出的入射面的位移驱动聚光单元,也有激光的聚光位置从所期望的位置偏离的担忧。该情况下,激光加工的精度下降。
因此,本发明的一个方面,其目的在于,提供一种可以抑制激光加工的精度的下降的激光加工装置、及激光加工方法。
解决课题的技术手段
本发明的一个方面所涉及的激光加工装置,其特征在于,是通过沿加工预定线将激光照射于加工对象物,从而进行加工对象物的激光加工的激光加工装置,具备:支承台,支承加工对象物;激光光源,输出激光;聚光单元,包含聚光透镜,该聚光透镜用于将激光聚光于被支承在支承台的加工对象物;移动部,使支承台及聚光单元的至少一方沿加工对象物中的激光的入射面移动,沿加工预定线使激光的聚光点相对移动;致动器,用于沿与入射面交叉的方向驱动聚光单元;位移传感器,沿加工预定线测定入射面的位移;温度传感器,检测聚光单元的温度;以及控制部,根据位移传感器所测定出的入射面的位移、与温度传感器所检测出的聚光单元的温度,算出致动器所致的聚光单元的驱动量,并且控制致动器,使得在移动部使聚光点相对移动时,对应于驱动量来驱动聚光单元。
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