[发明专利]静电卡盘装置

说明书

本发明为一种静电卡盘装置100，其依次具备：静电卡盘部2，将一主面作为载置板状试样的载置面，并且内置有静电吸附用内部电极；加热构件50，在静电卡盘部2的与所述载置面相反一侧的面上以具有间隙的图案来粘合；片材6；以及基座部10，具有对静电卡盘部2进行冷却的功能，在静电卡盘部2与加热构件50之间具有层厚为10μm以上且小于200μm，且肖氏硬度(A)为10～70的硅树脂片52。

技术领域

本发明涉及一种静电卡盘装置。

背景技术

在半导体制造工艺中，使用静电卡盘装置作为在晶圆的加工时，将晶圆简单地安装、固定于试样台，并且将该晶圆维持在所期望的温度的装置。

随着半导体元件的高积体化及高性能化，晶圆的加工的微细化正在发展，经常使用生产效率高、可进行大面积的微细加工的等离子体蚀刻技术。若对固定于静电卡盘装置上的晶圆照射等离子体，则该晶圆的表面温度上升。因此，为了抑制该表面温度的上升，使水等冷却介质在静电卡盘装置的基座部循环而自下侧对晶圆进行冷却，但此时因等离子体朝晶圆所导入的热在晶圆面内的不均，从而在晶圆的面内产生温度分布。例如，具有在晶圆的中心部温度变高，在边缘部温度变低的倾向。

例如，在调整使用氦气等气体的晶圆的面内温度分布的静电卡盘装置、调整晶圆等与静电卡盘的吸附面之间的接触面积的静电卡盘装置中，难以进行局部的温度控制。

并且，在以往的带有加热器功能的静电卡盘装置中，存在因加热器的急速的升降温，有时在静电卡盘部、基座部、加热器本身等中产生裂纹，作为静电卡盘装置的耐久性并不充分这一问题点。

为了解决该问题，例如公开有如下的静电卡盘装置：当应用于等离子体蚀刻装置等处理装置时，使硅晶圆等板状试样的面内产生局部的温度分布，由此可进行随着等离子体施加的硅晶圆等板状试样的局部的温度控制(例如，参考专利文献1)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2011-159684号公报

发明内容

发明要解决的技术课题

为了进一步抑制晶圆的面内温度的不均，要求进一步提高固定晶圆的静电卡盘部的面内温度均匀性。

本发明的目的在于提供一种静电卡盘装置，并将达成该目的作为课题，所述静电卡盘装置是介于静电卡盘部与加热构件之间的硅树脂片的耐形状变化性及耐热性优异，且静电卡盘部的面内温度均匀性优异的静电卡盘装置。

用于解决技术课题的手段

用于达成所述课题的具体方式如下所述。

<1>一种静电卡盘装置，其依次包括：静电卡盘部，将一主面作为载置板状试样的载置面，并且内置有静电吸附用内部电极；加热构件，在所述静电卡盘部的与所述载置面相反一侧的面上以具有间隙的图案来粘合；片材；以及基座部，具有对所述静电卡盘部进行冷却的功能；在所述静电卡盘部与所述加热构件之间具有层厚为10μm以上且小于200μm，且肖氏硬度(A)为10～70的硅树脂片。

<2>如<1>所述的静电卡盘装置，其中，在所述加热构件与所述基座部之间具有绝缘材层。

<3>如<1>或<2>所述的静电卡盘装置，其中，所述片材含有选自由硅系弹性体及氟系弹性体所组成的群组中的任一个。

发明效果

根据本发明，提供一种介于静电卡盘部与加热构件之间的硅树脂片的耐形状变化性及耐热性优异，且静电卡盘部的面内温度均匀性优异的静电卡盘装置。

附图说明