[发明专利]多芯片组件的制造

权利要求书

1.一种用于制造可表面安装的多芯片组件（101、102、103、104、105）的方法，包括：

提供芯片布置，其中所述芯片布置包括在后侧处暴露的金属导体结构（110）、多个半导体芯片（150）和壳体材料（160）；和

在所提供的所述芯片布置的后侧上形成阻焊涂层（170），其中所述阻焊涂层（170）分离所述导体结构（110）的连接区域（121）。

2.根据权利要求1所述的方法，

其中，提供所述芯片布置包括以下：

提供金属初始层（130）；

将所述半导体芯片（150）布置在所述初始层（130）上；

将所述壳体材料（160）施加在所述初始层（130）上；和

在布置所述半导体芯片（150）并通过产生切割所述初始层（130）的切口（135、136）而施加所述壳体材料（160）之后形成所述导体结构（110）。

3.根据权利要求2所述的方法，

其中，所提供的所述初始层（130）包括小于150μm的厚度。

4.根据权利要求2和3中任一项所述的方法，

其中，在形成所述阻焊涂层（170）的过程期间，所述芯片布置的所述后侧至少在所述切口（135,136）的区域中被所述阻焊涂层（170）覆盖。

5.根据权利要求2至4中任一项所述的方法，

其中，所提供的所述初始层（130）包括在前侧处或在后侧处的凹陷（131、132）。

6.根据权利要求2至5中任一项所述的方法，

其中，半导体芯片（150）的后侧通过产生所述切口（136）而在局部区域中予以暴露，并随后被所述阻焊涂层（170）覆盖。

7.根据权利要求1所述的方法，

其中，提供所述芯片布置包括以下：

提供构成所述导体结构（110）的金属引线框架（140）；

将所述半导体芯片（150）布置在所述引线框架（140）上；和

将所述壳体材料（160）施加在所述引线框架（140）上。

8.根据前述权利要求中任一项所述的方法，

其中，在形成所述阻焊涂层（170）的过程期间，所述导体结构（110）被所述阻焊涂层（170）部分地覆盖。

9.根据前述权利要求中任一项所述的方法，

其中，所述阻焊涂层（170）形成为具有封闭所述连接区域（121）的形状。

10.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，所述半导体芯片（150）是光电子半导体芯片。

11.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，提供所述芯片布置是以这样的方式执行的：使得所述壳体材料（160）被布置在所述导体结构（110）上并且与所述半导体芯片（150）毗连。

12.根据权利要求5所述的方法，

其中，在所述凹陷（131、132）的区域中产生用于形成所述导体结构（110）的所述切口（135、136）。

13.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，以这样的方式制造所述多芯片组件：使得所述连接区域（121）包括大于100μm的距离并且所述半导体芯片（150）包括小于100μm的距离。

14.一种可表面安装的多芯片组件（101、102、103、104、105），包括在后侧处可接近的导体结构（110）、多个半导体芯片（150）、壳体材料（160）和在后侧处形成的阻焊涂层（170），其中所述阻焊涂层（170）分离所述导体结构（110）的连接区域（121）。