[发明专利]电子装置及其制造方法

权利要求书

1.一种电子装置，

具备：

电子零件(12)；

封固树脂体(11)，将上述电子零件封固；

引线框(25)，具有配置在上述封固树脂体的内部的内引线(250)、和与上述内引线相连并突出到上述封固树脂体的外部的外引线(251)，该引线框(25)跨上述封固树脂体的内外而延伸设置；以及

接合线(26)，在上述封固树脂体的内部，将上述电子零件与上述内引线电连接；

上述内引线具有基材(252)以及被膜(253)，上述基材(252)使用金属材料而形成，上述被膜(253)至少在上述基材的表面之中的、上述内引线中的连接上述接合线的接合面(250a)侧的表面上形成；

上述被膜具有金属薄膜(254)和氧化膜(255)，上述金属薄膜(254)被形成在上述基材的表面上，在一部分上连接着上述接合线，上述氧化膜(255)由与构成上述金属薄膜的金属相同的金属的氧化物构成，形成在上述金属薄膜上除上述接合线的连接区域(250b)以外的部分的至少一部分上；

上述氧化膜包括表面连续而呈现凹凸的凹凸氧化膜(256)；

在上述接合面中，当设与上述外引线侧的端部相反的端部为前端部(250c)时，上述凹凸氧化膜形成在作为比上述连接区域靠上述前端部侧的区域的前端区域(250e)的至少一部分上。

2.如权利要求1所述的电子装置，

上述凹凸氧化膜在上述接合面中形成在上述前端区域中的包括上述前端部的部分上。

3.如权利要求1所述的电子装置，

当设上述外引线侧的端部为后端部(250d)时，上述凹凸氧化膜在上述接合面中，形成在作为比上述连接区域更靠上述后端部侧的区域的后端区域(250f)的至少一部分上。

4.如权利要求3所述的电子装置，

在与上述引线框的延伸设置方向正交的宽度方向上，上述凹凸氧化膜相对于上述连接区域排列而形成；

在上述前端区域上形成的凹凸氧化膜、相对于上述连接区域排列而形成的凹凸氧化膜、以及在上述后端区域上形成的凹凸氧化膜一体地相连。

5.如权利要求4所述的电子装置，

上述凹凸氧化膜将上述连接区域包围。

6.如权利要求1～5中任一项所述的电子装置，

上述金属薄膜在形成有上述凹凸氧化膜的部分的表面上具有多个凹部(254a)。

7.如权利要求1～5中任一项所述的电子装置，

在上述金属薄膜中，形成有上述凹凸氧化膜的部分的平均膜厚度比没有形成上述凹凸氧化膜的部分的平均膜厚度薄。

8.如权利要求1～5中任一项所述的电子装置，

上述氧化膜包括中间氧化膜(257)，上述中间氧化膜(257)在上述凹凸氧化膜与上述连接区域之间与上述凹凸氧化膜相邻而形成，膜厚度比形成在上述接合面中的自然氧化膜的膜厚度厚，比上述凹凸氧化膜的平均膜厚度薄。

9.如权利要求1～5中任一项所述的电子装置，

构成上述金属薄膜的上述金属是镍即Ni。

10.如权利要求9所述的电子装置，

上述金属薄膜是镀膜。

11.如权利要求10所述的电子装置，

上述金属薄膜是非电解镀膜。

12.一种电子装置的制造方法，上述电子装置具备：

电子零件(12)；

封固树脂体(11)，将上述电子零件封固；

引线框(25)，具有配置在上述封固树脂体的内部的内引线(250)、和与上述内引线相连并突出到上述封固树脂体的外部的外引线(251)，该引线框(25)跨上述封固树脂体的内外而延伸设置；以及

接合线(26)，在上述封固树脂体的内部，将上述电子零件与上述内引线电连接；

上述内引线具有基材(252)以及被膜(253)，上述基材(252)使用金属材料而形成，上述被膜(253)至少在上述基材的表面之中的、上述内引线中的连接上述接合线的接合面(250a)侧的表面上形成；

上述被膜具有金属薄膜(254)和氧化膜(255)，上述金属薄膜(254)被形成在上述基材的表面上，在一部分上连接着上述接合线，上述氧化膜(255)由与构成上述金属薄膜的金属相同的金属的氧化物构成，形成在上述金属薄膜上除上述接合线的连接区域(250b)以外的部分的至少一部分上；

上述氧化膜包括表面连续而呈现凹凸的凹凸氧化膜(256)；

上述电子装置的制造方法包括：

准备形成有上述金属薄膜的上述基材；

在上述接合面中，当设与上述外引线侧的端部相反的端部为前端部(250c)时，对上述金属薄膜的表面中的作为比上述连接区域更靠上述前端部侧的区域的前端区域(250e)的至少一部分照射脉冲振荡的激光，形成上述凹凸氧化膜；

在形成上述凹凸氧化膜之后，经由上述接合线将上述电子零件与上述内引线连接；

以将上述接合线、上述电子零件、以及上述内引线覆盖的方式将上述封固树脂体成形。