[发明专利]电子装置及其制造方法

说明书

一种电子装置及其制造方法。电子装置中，信号端子(25)的内引线(250)具有使用金属材料形成的基材(252)、和在基材的表面中的内引线的接合面(250a)侧的表面上形成的被膜(253)。被膜具有形成在基材的表面上、在一部分上连接着接合线的金属薄膜(254)，和由与金属薄膜的主成分的金属相同的金属的氧化物构成、在金属薄膜上、除了接合线的连接区域(250b)以外的部分的至少一部分上形成的氧化膜(255)。氧化膜包括对金属薄膜照射脉冲振荡的激光而形成、表面连续而呈现凹凸的凹凸氧化膜(256)。凹凸氧化膜被形成在接合面中的前端区域(250e)的至少一部分上。

关联申请的相互参照

本申请基于2016年4月4日提出的日本专利申请第2016－75388号，在此引用其全部内容。

技术领域

本公开涉及树脂封固型的电子装置及其制造方法。

背景技术

已知有具备电子零件、将电子零件封固的封固树脂体、跨封固树脂体的内外延伸设置的引线框、和在封固树脂体的内部中将电子零件与引线框电连接的接合线的树脂封固型的电子装置。引线框具有配置在封固树脂体的内部中的内引线、和与内引线相连、突出到封固树脂体的外部的外引线。

在专利文献1中，公开了一种树脂封固型的电子装置(半导体封装)，为了抑制封固树脂体从引线框剥离而造成接合线断线，该树脂封固型的电子装置(半导体封装)具备在多层中被实施了镀层的引线框。在专利文献1中，对引线框整面实施铜(Cu)触击镀层，接着将外引线用夹具遮蔽，对内引线实施粗面化铜(Cu)镀层。接着，使用在内引线的前端部开口、将其他部分遮蔽的夹具，对前端部实施银(Ag)镀层。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2002－299538号公报

发明内容

根据专利文献1所公开的以往技术，通过表面呈凹凸的粗面化铜(Cu)镀层的锚固效应，能够抑制封固树脂体从引线框剥离。即，能够抑制封固树脂体的剥离进展到接合线的连接区域而接合线断线的情况。

此外，粗面化镀层上的接合线的连接区域中被实施了Ag镀层，由此连接区域成为大致平坦，能够将接合线连接。

但是，在以往技术中，至少需要以3个阶段实施镀层。因此，引线框、进而电子装置的结构较复杂。此外，为了局部地实施镀层而需要形成掩模、在镀层后将掩模除去。因此，制造工艺较复杂。

本公开的目的是提供一种能够抑制由封固树脂体的剥离造成的接合线的断线、并且使结构及制造工艺简洁化的电子装置及其制造方法。

根据本公开的第一技术方案，电子装置具备：电子零件；封固树脂体，将电子零件封固；引线框，具有配置在封固树脂体的内部中的内引线、和与内引线相连并突出到封固树脂体的外部的外引线，该引线框跨封固树脂体的内外而延伸设置；以及接合线，在封固树脂体的内部中，将电子零件与内引线电连接。内引线具有使用金属材料形成的基材、和至少在基材的表面中的、内引线中的连接接合线的接合面侧的表面上形成的被膜(保护膜)。被膜(保护膜)具有金属薄膜和氧化膜，所述金属薄膜被形成在基材的表面上，在一部分上连接着接合线，所述氧化膜由与金属薄膜的主成分的金属相同的金属的氧化物构成，在金属薄膜上、除了接合线的连接区域以外的部分的至少一部分上形成。氧化膜包括表面连续而呈现凹凸的凹凸氧化膜，在接合面中，如果设与外引线侧的端部相反的端部为前端部，则凹凸氧化膜在作为比连接区域靠前端部侧的区域的前端区域的至少一部分上形成。