[发明专利]沸石分离膜及其制造方法有效
| 申请号： | 201780009160.4 | 申请日： | 2017-02-17 |
| 公开（公告）号： | CN108697997B | 公开（公告）日： | 2021-05-14 |
| 发明（设计）人： | 今坂怜史;板仓正也;矢野和宏;山本秀树;荒木贞夫 | 申请（专利权）人： | 日立造船株式会社;学校法人关西大学 |
| 主分类号： | B01D71/02 | 分类号： | B01D71/02;B01D69/12;C01B37/02 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人： | 张晶;谢顺星 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 分离 及其 制造 方法 | ||
1.一种沸石分离膜，其为在多孔载体上形成的沸石膜的晶体结构的骨架为全硅的沸石分离膜，其特征在于，
比所述沸石分离膜的该沸石膜的细孔小的分子能够通过沸石膜的细孔内，进行利用了沸石细孔径与分子径之差的分离，
通过沸石膜的分子通过多孔载体的孔，由此进行分子筛选，
在多孔载体上形成的沸石晶体结构为STT型或CHA型，且为无氟；
其中，所述无氟是指在沸石膜的水热合成中不使用氢氟酸那样的含氟的矿化剂而进行合成，因此沸石膜中没有氢氟酸的残留，并且利用水热合成而结晶化的沸石膜结构内不存在氟；另外，制造晶种的步骤中使用的含氟的矿化剂有包含在沸石膜中的可能性；然而，由于与所合成的沸石膜整体相比为极少量，因此沸石膜实际上称为无氟。
2.一种原料组合物，其为用于制造权利要求1所述的沸石分离膜的原料组合物，其特征在于，
上述原料组合物包含硅源及有机模板剂，不包含氟化合物。
3.一种沸石分离膜的制造方法，所述沸石分离膜在多孔载体上具有全硅的STT型或CHA型的沸石膜的晶体结构，比所述沸石膜的细孔小的分子能够通过沸石膜的细孔内，进行利用了沸石细孔径与分子径之差的分离，
且通过沸石膜的分子通过多孔载体的孔，由此进行分子筛选，所述制造方法的特征在于，包括：
制造全硅沸石的晶种的步骤；
将上述晶种涂布在上述多孔载体上的步骤；
制备膜合成原料组合物的步骤；以及
将涂布有上述晶种的上述多孔载体浸渍于上述膜合成原料组合物并进行水热合成的步骤，
上述膜合成原料组合物包含硅源及有机模板剂，不包含氟化合物。
4.一种沸石分离膜的制造方法，其为权利要求3的全硅的STT型的沸石分离膜的制造方法，其特征在于，
上述膜合成原料组合物中，硅源:TMAdaOH:H20＝1:0.1～0.5:30～60，
水热合成的温度为140℃～180℃、时间为8天～12天。
5.一种沸石分离膜的制造方法，其为权利要求3的全硅的CHA型的沸石分离膜的制造方法，其特征在于，
上述膜合成原料组合物中，硅源:TMAdaOH:H20＝1:0.5～1.5:20～50，
水热合成的温度为140℃～180℃、时间为8天～12天。
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