[发明专利]发光器件和包括发光器件的发光器件封装

权利要求书

1.一种发光器件，包括：

衬底；

第一导电类型半导体层，所述第一导电类型半导体层被布置在所述衬底上；

有源层，所述有源层被布置在所述第一导电类型半导体层上，多个量子阱层和多个量子势垒层被交替地堆叠在所述有源层中；

第二导电类型半导体层，所述第二导电类型半导体层被布置在所述有源层上；

接触层，所述接触层被布置在所述第二导电类型半导体层上；

电流扩展层，所述电流扩展层被布置在所述接触层上；以及

电流阻挡层，所述电流阻挡层被布置在所述第二导电类型半导体层上，

其中，所述接触层和/或所述电流扩展层被形成以覆盖所述电流阻挡层的至少一部分并且当米勒平面指数为400时具有衍射的X射线光束的最大强度值；

所述电流扩展层和/或所述接触层的侧表面与所述第二导电类型半导体层的侧表面之间的距离在3μm至10μm的范围中。

2.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述电流扩展层在氩(Ar)气氛下通过沉积来被形成，在X射线衍射实验中根据米勒平面指数具有衍射光束的多个强度峰值，并且当所述米勒平面指数是400时具有衍射光束的最大强度峰值。

3.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述电流阻挡层的厚度与所述接触层和所述电流扩展层的总厚度的比率为2:1至5:1。

4.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述接触层由铟锡氧化物(ITO)、NiO或NiAu中的至少一种材料形成。

5.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述接触层具有1nm至5nm的厚度。

6.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述电流扩展层具有20nm至70nm的厚度。

7.根据权利要求1所述的发光器件，还包括：反射层，所述反射层被布置在所述衬底下面。

8.根据权利要求1所述的发光器件，还包括：钝化层，所述钝化层的至少一部分被布置在所述电流扩展层上。

9.根据权利要求8所述的发光器件，其中，所述钝化层的厚度与所述电流扩展层的厚度的比率为1.4:1至5:1。

10.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述接触层由具有缺少氧成分的非化学计量结构的铟锡氧化物(ITO)形成。

11.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述电流扩展层由铟锡氧化物(ITO)材料形成。

12.根据权利要求11所述的发光器件，其中，所述电流扩展层具有非化学计量结构。

13.根据权利要求1所述的发光器件，还包括：

第一电极，所述第一电极被布置在所述第一导电类型半导体层上；以及

第二电极，所述第二电极被布置在所述第二导电类型半导体层上，

其中，所述电流阻挡层被布置在所述第二导电类型半导体层和所述第二电极之间。

14.根据权利要求13所述的发光器件，其中，所述电流扩展层被布置在所述电流阻挡层和所述第二电极之间。

15.根据权利要求13所述的发光器件，其中，所述电流阻挡层具有90nm至150nm的厚度。